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正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应

张兰芝 , 王宝义 , 王丹妮 , 魏龙 , 林均品 , 王文俊

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2007.03.009

利用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合Doppler展宽(CDB)技术研究了Ti51Al49合金中Nb的掺杂效应.结果表明:低含量掺杂时,Nb原子主要偏聚在合金晶界处,提高了晶界位置的自由电子密度,有利于改善合金的室温韧性;而较高含量的Nb掺杂时,由于形成了新的晶体结构,合金基体及晶界处的自由电子密度减少,导致合金的脆性增加.

关键词: 正电子湮没寿命 , 二维符合Doppler , TiAl合金

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