材料期刊网

新型红外晶体硫锗镓银的多晶合成

吴海信 , 王振友 , 倪友保 , 耿磊 , 毛明生 , 黄飞

人工晶体学报

本文直接使用高纯Ag,Ga,Ge,S单质作为原料合成AgGaGeS4多晶.为防止S蒸气高压使多晶合成管炸裂,采用双温区气相输运的合成方法.对合成的多晶作粉末衍射(XRD)分析,衍射图谱与标准JC-PDF卡片上峰值位置一致,表明样品为高纯单相AgGaGeS4多晶.使用该多晶原料成功生长出了优质单晶,并对合成工艺中存在的关键问题进行了讨论.

关键词: AgGaGeS4 , 多晶合成 , 二温区 , 气相输运