张文倩
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刘玉岭
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王辰伟
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高娇娇
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栾晓东
电镀与涂饰
在工作压力2 psi,抛光头转速55 r/min,抛光盘转速60 r/min,流量150 mL/L,温度22.7℃的条件下,采用一种不合H2O2的碱性抛光液对Cu、Ta、SiO2绝缘介质3种材料进行化学机械抛光(CMP).通过研究抛光液中SiO2磨料粒径和用量、FA/OⅡ型螯合剂和非离子型表面活性剂用量对3种材料去除速率的影响,得到了高选择性的阻挡层抛光液:SiO2粒径为50 nm的浆料20％(质量分数),FA/O Ⅱ型螯合剂0.15％(体积分数),表面活性剂3％(体积分数).该抛光液的SiO2/Ta/Cu去除速率之比为3.4∶1.6∶1.0.采用该抛光液抛光后,铜的表面粗糙度由5.18nm降至1.45 nm,碟形坑和蚀坑分别由116nm和46 nm降至42 nm和24 nm.
关键词:
铜
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钽
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二氧化硅绝缘介质
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化学机械抛光
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选择性
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去除速率
