李宏
,
王欣平
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.04.012
冷阴极作为微波放大管的核心组件, 它对冷阴极材料有着严格的技术要求. 经过中频炉熔炼, 压力加工以及热处理, 制备了厚度尺寸范围0.10～0.20 mm的Pd-Ba合金箔材. 经均匀化热处理, 有效地改变了Pd-Ba合金中第二相的形态而趋于粒状化, 同时增强了第二相与基体金属的结合能力, 使阴极片在正常装管打磨处理过程中第二相不发生脱落, 保证了合金表面的Ba含量. 在一次电子轰击功率为100 W·cm-2, 连续轰击2500 h后, 最大二次电子发射系数稳定在δmax2.55～2.6, 满足特定型号微波放大管对冷阴极最大二次电子发射系数的严格要求.
关键词:
Pd-Ba合金
,
冷阴极材料
,
前向波放大管
,
二次电子发射系数
,
金属间化合物
王彬
,
熊良银
,
刘实
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2015.00189
采用氧化激活AgMg合金在表面形成MgO薄膜, 以及采用射频反应溅射沉积法在不锈钢基片上分别制备了MgO薄膜和掺杂CoO的MgO薄膜, 研究了制备工艺对薄膜二次电子发射系数及耐电子束轰击能力的影响. 结果表明, 薄膜厚度对其耐电子束轰击能力有显著影响, 随着薄膜厚度的增加, 耐电子束轰击能力明显增强, 而射频反应溅射沉积可通过调整镀膜时间获得不同厚度的MgO薄膜. 射频反应溅射的氧分压比对MgO薄膜表面质量有较大影响, 随着沉积过程中氧分压比增大, MgO薄膜表面粗糙度增大, 不利于二次电子发射. CoO掺杂改善了MgO薄膜表面质量, 使其表面更加平整、光滑, 提高了薄膜的二次电子发射系数, 而且降低了薄膜表面质量对氧分压比变化的敏感性. 550 ℃真空热处理1 h使CoO掺杂的MgO薄膜发生热分解失氧且表面质量变差, 导致二次电子发射系数大幅下降. 在沉积过程中, 提升基片温度或提高氧分压, 会使薄膜中存在金属态Mg且薄膜表面质量变差, 使二次电子发射系数小幅下降.
关键词:
射频反应溅射沉积
,
薄膜厚度
,
表面粗糙度
,
二次电子发射系数
,
耐电子束轰击能力
王彬
,
熊良银
,
刘实
金属学报
doi:10.11900/0412.1961.2015.00189
采用氧化激活AgMg合金在表面形成MgO薄膜,以及采用射频反应溅射沉积法在不锈钢基片上分别制备了MgO薄膜和掺杂CoO的MgO薄膜,研究了制备工艺对薄膜二次电子发射系数及耐电子束轰击能力的影响.结果表明,薄膜厚度对其耐电子束轰击能力有显著影响,随着薄膜厚度的增加,耐电子束轰击能力明显增强,而射频反应溅射沉积可通过调整镀膜时间获得不同厚度的MgO薄膜.射频反应溅射的氧分压比对MgO薄膜表面质量有较大影响,随着沉积过程中氧分压比增大,MgO薄膜表面粗糙度增大,不利于二次电子发射.CoO掺杂改善了MgO薄膜表面质量,使其表面更加平整、光滑,提高了薄膜的二次电子发射系数,而且降低了薄膜表面质量对氧分压比变化的敏感性.550℃真空热处理1h使CoO掺杂的MgO薄膜发生热分解失氧且表面质量变差,导致二次电子发射系数大幅下降.在沉积过程中,提升基片温度或提高氧分压,会使薄膜中存在金属态Mg且薄膜表面质量变差,使二次电子发射系数小幅下降.
关键词:
射频反应溅射沉积
,
薄膜厚度
,
表面粗糙度
,
二次电子发射系数
,
耐电子束轰击能力
丁明清
,
李莉莉
,
冯进军
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132805.0688
研究了B掺杂金刚石膜的负电子亲和势(NEA)的行为.对于B2H6/CH4为10 mg/L和2 mg/L的样品,一次电子能量为1 keV时最大二次电子发射系数(SEE)分别达到18.3和10.9.值得注意的是,这两个样品在测试前已在大气中搁置了几个星期,并且测量前未经过任何处理.如此高的SEE表明,样品在大气中暴露后NEA效应仍得到了保留.另外,10 mg/L B2H6/CH4掺杂样品在酸溶液中处理后NEA消失,SEE较低,而在真空中加热后NEA明显恢复,SEE在1 kV时达到10.2.
关键词:
B掺杂金刚石膜
,
负电子亲和势
,
二次电子发射系数
,
氧化处理
韦海成
,
许亚杰
,
肖明霞
,
吉文欣
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173206.0467
为了研究MgO晶体和二次电子发射效率间的关系,分析了直接沉淀镁盐法生成Mg(OH)2以及三段式温度煅烧Mg(OH)2制备MgO晶体的过程,并使用扫描电镜和XRD对制成的MgO晶体进行了表征.在此基础上,采用第一性原理对MgO晶体的能带结构和态密度进行了计算,分析了晶体表面的结晶取向对MgO二次电子发射系数的影响.实验结果表明,本方法制备的MgO为立方晶体,且晶粒尺寸均匀分布在40.65 nm附近,晶面取向为(200)、(111)、(220),并沿(200)取向择优生长.常见的(110)、(100)和(111)三种晶面取向中,表面(110)取向的MgO晶体禁带宽度最低,材料表面的二次电子发射系数相对较高.
关键词:
MgO晶体
,
二次电子发射系数
,
第一性原理
,
直接沉淀法
陈佳林
,
黎明
,
王诗尧
,
邵剑雄
,
谈效华
,
金大志
,
向伟
,
崔莹
,
陈熙萌
稀有金属
测量了中低能质子致氘化钛和氘化锆二次电子发射系数.结果表明,20 nA/cm2束流下各二次电子发射系数与其电子能损近似成正比,比例因子∧较Sternglass理论值偏大约50％,表面吸附层影响二次电子发射系数.束流密度为7μA/cm2的100 keV质子束长时间测量时,二次电子发射系数γ和正比例因子∧在前100 s内快速下降并逐渐稳定至理论值.
关键词:
中低能质子
,
金属氘化物
,
二次电子发射系数
