刘伟
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王金淑
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高非
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任志远
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周美玲
稀有金属材料与工程
采用固固掺杂、液固掺杂和液液掺杂方法制备了稀土氧化物掺杂钼粉,随后利用等离子体快速烧结( spark plasma sinterin,SPS)和传统的压制与高温烧结分别制备稀土-钼金属陶瓷材料,利用金相显微镜、发射性能测试方法对样品的微观结构和二次电子发射性能进行了研究.结果表明:稀土氧化物均匀掺杂和组织的细化有利于材料发射性能提高.经过高温氢气处理,使得样品激活温度大幅降低,发射系数大幅提高.
关键词:
稀土
,
钼
,
二次电子发射
,
磁控管
马天军
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陈振海
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俞世吉
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孙建海
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伊福廷
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刘濮鲲
材料热处理学报
在充分考虑电子枪栅极的工作环境后,对铪(Hf)栅极进行了800、900和1000℃的真空退火处理,对其组织、织构特点进行了分析,并利用离子束辅助沉积技术在Ba-W阴极表面分别沉积金属钼膜和铪膜,以模拟栅控行波管中钼栅极和铪栅极表面吸附阴极蒸发物质时的表面状态,测试了这两种栅极表面“热电子发射”能力和“二次电子发射”系数.结果表明,随着退火温度的升高,铪(Hf)栅极的结晶度、晶粒尺寸增加,织构减少,铪的最佳退火温度为900℃,铪栅极表面吸附的阴极发射物质要远少于钼栅极,用金属铪作栅极材料能有效抑制栅电子发射.
关键词:
退火
,
铪
,
织构
,
栅发射
,
二次电子发射
王玉乾
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王兵
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甘孔银
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李凯
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潘清
,
黎明
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王延平
材料导报
掺硼金刚石薄膜具有负电子亲和势和良好的电子运输性能且容易制备,作为冷阴极材料在图像显示技术和真空技术等方面都有着巨大的应用价值,引起人们的注意.从二次电子发射的机理以及影响二次电子发射系数的因素等方面,对如何利用MPCVD法制备出高二次电子发射系数的掺硼金刚石薄膜进行了综述.论述表明通过合适的工艺条件,对薄膜表面进行适当的处理,是可以制备出高二次电子发射系数的阴极用金刚石薄膜的.
关键词:
掺硼金刚石薄膜
,
二次电子发射
,
化学气相沉积
韦海成
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李海燕
,
张秀霞
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163103.0265
采用电子束蒸镀工艺制备氧化钙掺杂氧化镁复合介质保护膜并深入分析了制备温度对该复合保护膜透过率及二次电子发射效率的影响.实验表明,高温制备能够使复合薄膜表面形貌更为致密,结晶粒径增加,薄膜的透过率和发光效率提高.当制备温度为300℃时,复合薄膜的形貌更为致密平整,裕度从25 V增加到32 V,发光效率从1.70 lm/W提高到1.91 lm/W,提高了12.35％.
关键词:
氧化镁
,
介质保护膜
,
二次电子发射
