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V/Sb预合成粉对ZnO-V2O5基压敏电阻材料的影响

赵鸣 , 王卫民 , 张慧君 , 高峰 , 田长生

稀有金属材料与工程

基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在950℃合成了组织均匀、瓷体相对密度>98%、非线性系数>50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料.Sb以V2O5/Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,促进了陶瓷的低温烧结.随着预合成粉含量的增加,Sb3+离子对Zn2+离子的取代量增加,材料内部VZn等受主型缺陷的增加,使晶界势垒升高,使材料获得优异电学非线性特性.

关键词: ZnO-V2O5压敏电阻 , 二次合成法 , 低温烧结

V/Sb预合成粉对ZnO-V2O5基压敏电阻材料的影响

赵鸣 , 王卫民 , 张慧君 , 高峰 , 田长生

稀有金属材料与工程

基于传统电子陶瓷合成工艺,采用二次合成法在950℃合成了组织均匀、瓷体相对密度>98%、非线性系数>50的ZnVSb基多组分压敏电阻陶瓷材料.Sb以V2O5/Sb2O3预合成粉的形式进行添加,避免了由于Sb2O3挥发造成的对ZnO晶粒生长的阻碍,促进了陶瓷的低温烧结.随着预合成粉含量的增加,Sb3+离子对Zn2+离子的取代量增加,材料内部VZn等受主型缺陷的增加,使晶界势垒升高,使材料获得优异电学非线性特性.

关键词: ZnO-V2O5压敏电阻 , 二次合成法 , 低温烧结

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