朱建强
,
刘涌
,
王靖
,
詹宝华
,
宋晨路
,
韩高荣
硅酸盐通报
doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2005.06.018
采用APCVD工艺用硅烷和乙烯为原料在620℃沉积硅薄膜.用AFM观察薄膜表面形貌,用SEM扫描截面测量薄膜厚度.FTIR光谱表明薄膜中存在Si-C.研究了C2H4/SiH4摩尔比对膜厚的影响,随着C2H4/SiH4的增大,薄膜的沉积速率降低,表明乙烯掺杂会抑制薄膜生长,同时乙烯的加入减弱了颗粒的异常长大.
关键词:
APCVD
,
硅薄膜
,
乙烯掺杂
,
AFM
,
FTIR
