张伟
,
朱世富
,
赵北君
,
刘敏文
,
李一春
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2003.04.009
本文通过对硫镓银单晶生长习性的分析研究,设计组装了三温区单晶炉,采用三温区坩埚下降法生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2单晶体,尺寸达10mm×25mm.实验测定了AgGaS2晶体的差热分析曲线和红外透射谱,以及单晶{112}解理面的X射线衍射谱,结果表明生长晶体的质量较高.
关键词:
硫镓银
,
单晶体
,
三温区
,
坩埚下降法
邱春丽
,
赵北君
,
朱世富
,
王智贤
,
李新磊
,
何知宇
,
陈宝军
,
唐世红
功能材料
CdZnTe晶体是一种性能优畀的室温核辐射探测器材料.在熔体法生长CdZnTe晶体的过程中,生长炉的内部温场分布对获得的晶体结构和性能有很大影响.根据CdZnTe晶体的生长习性,设计了三温区单晶炉,用坩埚下降法生长出CdZnTe单晶体.通过X射线衍射、红外透过率、I-V测试等分析研究,得到了红外透过率约为61%,腐蚀蚀坑密度(EPD)为104 cm-2,电阻率为109～1010 Ω·cm的Cd0.9 Zn0.1 Te单晶体.表明三温区坩埚下降法生长的单晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高.
关键词:
CdZnTe
,
单晶生长
,
坩埚下降法
,
三温区
梁秀梅
,
陈巨才
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.03.019
晶体生长炉是晶体生长的基础.根据三硼酸锂(LBO)、偏硼酸钡(β-BBO)等晶体生长的要求,我们设计制备了包含三温区的晶体生长炉.本文报道了关于该炉温场设计所考虑的基本问题和炉体材料的选择,给出了电气系统的基本框架及构件.实际测量表明:该炉控温精度在上温区为±0.135℃,中温区为±0.09℃,下温区为±0.136℃,高温区炉温均匀度为0.86℃,低温区炉温均匀度为-0.86℃.
关键词:
热场
,
三温区
,
控温精度
,
炉温均匀度
,
晶体炉
