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提拉法生长大尺寸γ-LiAlO2单晶的研究

彭观良 , 邹军 , 庄漪 , 张涟翰 , 周国清 , 周圣明 , 徐军 , 干福熹

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.018

由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γ-LiAlO2单晶有望成为一种很有希望的CaN外延衬底材料.本文使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm3的γ-LiAlO2单晶.对该晶体毛坯的各个有代表性的位置作了X射线粉末衍射(XRPD)分析,结果表明仅仅在晶体毛坯的底部生成了一种缺锂相(LiAl5O8).γ-LiAlO2晶体化学稳定性差,在室温时轻微水解.当在空气中于1100℃退火70h,γ-LiAlO2晶体挥发出锂组分,在表面产生缺锂相(LiAl5O8).值得注意的是,在γ-LiAlO2晶体的红外光谱区不存在氢氧根吸收带.

关键词: 晶体生长 , 提拉法 , γ-LiAlO2 , 外延 , GaN , 衬底 , 红外

c面白宝石衬底表面形貌对气相传输平衡法制备的γ-LiAlO2层质量的影响

彭观良 , 李抒智 , 庄漪 , 邹军 , 王银珍 , 刘世良 , 周国清 , 周圣明 , 徐军 , 干福熹

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.014

采用气相传输平衡(VTE)技术,在(0001)面白宝石衬底表面上成功地制备出单相γ-LiAlO2层.研究了白宝石衬底表面形貌对γ-LiAlO2层质量的影响,发现白宝石衬底的表面粗糙度和退火处理是两个影响γ-LiAlO2层质量的重要因素.要制备高质量的γ-LiAlO2层,适度的表面粗糙度是恰当的.对白宝石衬底进行退火处理,γ-LiAlO2层的择优取向变差.并对其中可能的机理进行了探讨.

关键词: 白宝石 , γ-LiAlO2 , 气相传输平衡 , GaN , 衬底

Structural, Morphological and Optical Properties of ZnO Thin Films Grown on γ-LiAlO2 Substrate by Pulsed Laser Deposition

Jun ZOU , Shengming ZHOU , Xia ZHANG , Fenglian SU , Xiaomin LI , Jun XU

材料科学技术(英文)

ZnO thin films were deposited on the substrates of (100) γ-LiAlO2 at 400, 550 and 700℃ using pulsed laser deposition (PLD) with the fixed oxygen pressure of 20 Pa, respectively. When the substrate temperature is 400℃, the grain size of the film is less than 1~$\mu$m observed by Leitz microscope and measured by X-ray diffraction (XRD). As the substrate temperature increases to 550℃, highly-preferred c-orientation and high-quality ZnO film can be attained. While the substratetemperature rises to 700℃, more defects appears on the surface of film and the ZnO films become polycrystalline again possibly because more Li of the substrate diffused into the ZnO film at high substrate temperature. The photoluminescence (PL) spectra of ZnO films at room temperature show the blue emission peaks centered at 430~nm. We suggest that the blue emission corresponds to the electron transition from the level of interstitial Zn to the valence band. Meanwhile, the films grown on γ-LiAlO2 (LAO) exhibit green emission centered at 540 nm, which seemed to be ascribed to excess zinc and/or oxygen vacancy in the ZnO films caused by diffusion of Li from the substrates into the films during the deposition.

关键词: γ-LiAlO2 , null , null , null

非极性GaN薄膜及其衬底材料

周健华 , 周圣明 , 邹军 , 黄涛华 , 徐军 , 谢自力 , 韩平 , 张荣

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.022

本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况,这些衬底主要包括γ-LiAlO2、r面蓝宝石等.通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率会因此降低,发展非极性面外延,有望克服这一物理现象,使发光效率提高.

关键词: r面蓝宝石 , γ-LiAlO2 , a面GaN , m面GaN

γ-LiAlO2晶体的生长及掺镓研究

彭观良 , 庄漪 , 邹军 , 王银珍 , 刘世良 , 周国清 , 周圣明 , 徐军 , 干福熹

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.004

由于与GaN晶格失配小(约1.4%),γ-LiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料.本文首先使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm3的γ-LiAlO2单晶,然后采用Ga2O3作为掺杂剂,仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1-xGaxO2(x=0.1,0.2,0.3)晶体,并用X射线粉末衍射(XRPD)分别对晶体及坩锅中剩余的熔体的成份进行了表征.结果表明LiAl-xGaxO2(x=0,0.1,0.2,0.3)晶体归属于γ-LiAlO2结晶结构,Ga3+离子部分地取代Al3+离子,发生分凝且分凝系数小于1.

关键词: 晶体生长 , 提拉法 , γ-LiAlO2 , LiAl1-xGaxO2 , 掺质

γ-LiAlO2晶体的退火研究

邹军 , 彭观良 , 陈俊华 , 钱晓波 , 李抒智 , 杨卫桥 , 周国清 , 徐军 , 周圣明

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.010

利用温度梯度法生长出了透明的γ-LiAlO2单晶,通过扫描电镜和X射线薄膜衍射分析了不同退火气氛对所切得的(001)晶片表面结构的影响.结果表明:1100℃/70h空气和真空中的退火处理使γ-LiAlO2晶片表层变成LiAl5O8多晶,而同温度富锂气氛退火可以有效地抑制锂的挥发,保持了晶格完整性并且提高了晶体质量.

关键词: 温度梯度法 , 退火 , γ-LiAlO2 , VTE

γ-LiAlO2超细粉SHS合成及反应机理的研究

林伟 , 白新德 , 凌云汉 , 马文军 , 任永岗

稀有金属材料与工程

以硝酸锂和水合硝酸铝为氧化剂,使用柠檬酸和尿素作为燃料,根据推进燃料化学理论计算原料的配比,采用自蔓延高温合成法(SHS)快速合成出γ-LiAlO2的超细粉.研究了燃料种类及煅烧温度对合成产物相组成和粉末形貌的影响.根据吉布斯自由能最小原理以及化合价配比平衡法则,发现当燃料中尿素与柠檬酸的配比为9:1时燃烧反应之所以能够快速持续地进行,究其基本原因在于燃料与相应的氧化剂之间形成了过渡型的络合物,进而降低了合成反应的活化能,使燃烧反应得以持续进行.

关键词: γ-LiAlO2 , 自蔓延高温合成 , 超细粉 , 反应机理

溶胶-凝胶燃烧合成法制备γ-LiAlO2

杨细平 , 邱祖民 , 刘艳凤 , 邱俊明

材料导报

研究了以硝酸锂、硝酸铝和尿素为原料,用溶胶-凝胶燃烧合成法制备γ-LiAlO2粉体的工艺.采用热重分析(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)、扫描电镜(SEM)对反应前驱体、反应过程、燃烧产物进行了表征测试.分析了原料配比、溶胶前驱体pH值对反应产物特性的影响,并初步探讨了反应的历程.

关键词: 溶胶-凝胶 , 燃烧合成 , γ-LiAlO2 , 配比 , pH值

燃烧合成制备γ-偏铝酸锂粉体

李飞 , 胡克鳌 , 张栋

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.03.001

本文以低温燃烧合成法制备了熔融碳酸盐燃料电池电解质板材料γ-LiAlO2,采用电子散射谱,X-射线衍射技术,红外光谱,扫描和透射电子显微镜对合成粉体的组成、结构和形貌进行了研究.

关键词: γ-LiAlO2 , 燃烧合成 , 熔融碳酸盐燃料电池 , 电解质板

用VTE方法在蓝宝石衬底上生长γ-LiAlO2薄膜

李抒智 , 徐军 , 杨卫桥 , 邹军 , 周圣明

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.01.026

利用气相传输平衡技术(VTE)和后退火处理工艺在(0001)蓝宝石衬底上获得了高度[100]取向的γ-LiAlO2薄膜.X射线衍射表明是由单相的γ-LiAlO2所组成.此薄膜经850~900℃/120h空气中退火处理后显示出高度的[100]取向.这一实验结果意味着有望通过VTE方法制备用于GaN基器件外延生长的γ-LiAlO2(100)-Al2O3(0001)复合衬底.

关键词: GaN , 气相传输平衡技术(VTE) , γ-LiAlO2 , 蓝宝石

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