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贾护军 , 杨银堂 , 柴常春 , 李跃进
功能材料
采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过常压化学气相淀积(APCVD)工艺在P型Si(100)衬底上进行了β-SiC薄膜异质外延生长.利用俄歇电子能谱、SEM及X射线衍射能谱进行了生长薄膜微结构分析.提出并讨论了外延生长β-SiC薄膜的最佳工艺条件及其生长机理.
关键词: β-SiC薄膜 , 外延生长 , 化学组分 , 工艺
贾护军 , 杨银堂 , 朱作云 , 李跃进
无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.01.023
采用常压化学气相淀积(APCVD)工艺在1000～1400C温度范围内的(100)Si衬底上进行了β-SiC薄膜的异质外延生长.实验结果表明,随着淀积温度的升高,外延层由多晶硅向β-SiC单晶转变,结晶情况变好;但同时单晶生长速率却反而有所下降.
关键词: 外延生长 , β-SiC薄膜 , 淀积温度 , 结晶度
