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控温活化燃烧合成α-Si3N4的动力学研究

陈松林 , 杨筠 , 林志明 , 李江涛 , 赵海雷 , 孙加林

无机材料学报

采用控温活化手段实现了燃烧合成α-Si3N4粉末.通过对反应温度特征曲线的分析,得出了Si-N体系的一系列燃烧反应动力学参数,包括燃烧波速、升温速率、绝热温升、惰性温升时间、惰性温降时间和转化率等,另外采用波速法和转化率法计算了该反应体系的活化能.这些参数将为进一步研究该反应的机理、优化燃烧合成工艺提供指导.

关键词: α-Si3N4 , combustion synthesis , kinetics , activation energy

稀释剂迭代加入对燃烧合成α-Si3N4的影响

陈义祥 , 林志明 , 杨筠 , 李江涛

稀有金属材料与工程

在开发迭代燃烧合成这种新工艺的基础上,进一步研究了以迭代的方式加入稀释剂对燃烧合成Si3N4的作用和影响.研究表明,以迭代的方式加入Si3N4稀释剂,可以有效的控制燃烧反应的最高温度,能够实现以低α相含量的Si3N4粉体来制备出高α相含量的Si3N4粉体,从而使Si3N4产物的α相含量得到提高.同时发现,当稀释剂加入量x较小(x=0.375)时,稀释剂的α相含量对生成Si3N4产物的α相含量影响较大,当热力学因素和动力学因素的作用达到平衡时,产物中Si生成的α-Si3N4的转化率最高值达到89%;当加入稀释剂的量较大(如x≥0.40)时,稀释剂的这种作用不明显.适宜的稀释剂加入量x值应当在0.45左右.所得结果对工业化生产α-Si3N4粉体具有指导作用.

关键词: α-Si3N4 , 燃烧合成 , 稀释剂 , 迭代

工艺参数对自蔓燃制备氮化硅粉体的影响

李金富 , 李康 , 王拥军 , 燕东明 , 段关文

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.02.007

采用自蔓燃高温合成方法(self-propagating high-temperature synthesis,简称SHS)合成氮化硅粉体,分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释剂与孔隙率等方面的影响.采用XRD研究相的组成,用SEM观察粉末的显微结构.研究结果表明:只要控制反应中的工艺参数,就可以采用自蔓燃得到不同相含量的Si3N4粉体;考虑到燃烧温度(Tcom),在氮化硅粉体的合成过程中,涉及到3个反应机制:低温机制,中温机制,高温机制;氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释剂,来控制反应温度和反应速度,获得不同相含量的粉体;NH4Cl在反应中分解,为反应提供了NH3,并与硅粉反应;压坯气孔率控制在30%~70%,否则反应不能进行.SHS法可以制备纯度很高的氮化硅粉体.此法较传统方法合成的氮化硅设备简单,成本低廉,纯度高,填充性好,烧结活性好.

关键词: 自蔓燃高温合成 , 燃烧温度 , α-Si3N4 , β-Si3N4

α-Si3N4晶须的制备与分析

曹阳 , 齐龙浩 , 潘伟

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2003.05.021

采用高频等离子体气相反应法制备的无定型氮化硅超细粉末为原料.通过在1450℃氮气气氛下,2h的热处理,使无定型氮化硅转为α相氮化硅,并生长出α-Si3N4晶须.试验分析证明所得到的α-Si3N4晶须直径为50~200nm,无明显缺陷,其晶须生长方向为〈0110〉.

关键词: 等离子体 , 气相反应 , 无定型氮化硅 , 晶须 , α-Si3N4

控温活化燃烧合成α-Si3N4的动力学研究

陈松林 , 杨筠 , 林志明 , 李江涛 , 赵海雷 , 孙加林

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.06.020

采用控温活化手段实现了燃烧合成α-Si3N4粉末.通过对反应温度特征曲线的分析,得出了Si-N体系的一系列燃烧反应动力学参数,包括燃烧波速、升温速率、绝热温升、惰性温升时间、惰性温降时间和转化率等,另外采用波速法和转化率法计算了该反应体系的活化能.这些参数将为进一步研究该反应的机理、优化燃烧合成工艺提供指导.

关键词: α-Si3N4 , 燃烧合成 , 动力学 , 活化能

添加剂对Si粉直接氮化工艺中α-Si3 N4含量的影响

乐红志 , 田贵山 , 李素珍

硅酸盐通报

通常情况下,Si粉直接氮化法和自蔓延法所制得Si3N4粉体主要以β-Si3N4为主,而为了使Si3N4陶瓷有更好的烧结性能,需要得到高α相含量的Si3N4粉.本研究以Si粉直接氮化法为基础,通过添加NH4Cl、FeCl3来制备高α相含量的Si3N4粉.经XRD和SEM检测分析发现,添加适量NH4Cl、FeCl3可大幅提高Si3N4粉体中α-Si3N4的含量,最高可达88.3%,但FeCl3的含量过高时,则可显著降低α-Si3N4的含量.研究还发现添加NH4Cl、FeCl3还可降低Si粉发生氮化反应的起始温度.

关键词: 添加剂 , Si粉直接氮化 , α-Si3N4

热丝CVD生长SiCN薄膜的研究

牛晓滨 , 廖源 , 常超 , 余庆选 , 方容川

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.02.023

在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类似于α-Si3N4的结构.XPS和FTIR分析表明薄膜中含有Si、C、N和O几种元素以及C=N、Si-N和C-N等共价键,但是并没有观察到C-Si的存在.由实验得出结论,SiCN晶体的生长包括两个步骤:α-Si3N4团簇的生长和C取代其中Si的过程.

关键词: HFCVD , SiCN薄膜 , α-Si3N4

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