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四甲基铵三氯化镉单晶体的研究

张东 , 郑吉民 , 车云霞

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.03.015

采用溶液降温法生长了[(CH3)4N]CdCl3化合物单晶,生长参数为:生长温度45℃,降温速率0.05~01℃/d,经过30天生长,可获得尺寸为18.6mm×17.6mm×20.8mm的单晶.测定了晶体的红外光谱,X射线衍射和热分析;研究了晶体的形貌、组成和结构.[(CH3)4N]CdCl3属P63空间群,晶胞参数为a=0.9116(5),b=0.9122(3),c=0.6725(4)nm.

关键词: 溶液法晶体生长 , 晶体结构 , [(CH3)4N]CdCl3晶体

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