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李长荣 , 王冈 , 李静波 , 张维敬
稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.03.012
运用相平衡分析的方法,对(Ga,In)As半导体MOVPE生长过程中源物质热分解后的气相物种分压进行了分析,得到了沉积物种的生成率随各生长参数的变化规律,同时对气相物种分压与半导体碳污染的关系也进行了分析.
关键词: (Ga,In)As半导体 , 相平衡 , 热分解 , 碳污染
