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调制掺杂Al_0.27Ga_0.73As/GaAs多量子阱结构的光致发光

程兴奎 , CHINV．W．L. , OSOTCHANT. , TANSYEYT．L．+ , VAUGHANM．R． , GRIFFITHSG．J．

无机材料学报

在调制掺杂（Si）Al_0.27Ga_0.73As／GaAs多量子阱结构的光致发光谱中，观测到一个强发光峰及多个低能弱发光峰．强发光峰是量子阱中基态电子与重空穴复合，即激子复合形成的，其低温发光线形可用Voigt函数拟合.低能弱峰是势垒层Al_0.27Ga_0.73As中DX中心能级上的电子跃迁到SiAs原子而引起，由此确定DX中心有四个能级，其激活能分别为0．35、037、0．39、0．41eV

关键词: 调制掺杂 , null , null