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Si基多孔SiO2薄膜的驻极体性能

张晓青 , Wedel A , Buechtemann A , 夏钟福 , 张冶文

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.03.018

通过控制制备工艺条件和充电参数，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减，开路热刺激放电电流谱等，考察了利用溶胶-凝胶(sol-gel)方法制备的Si基多孔SiO2薄膜的驻极体性能，分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系，同时利用Gauss拟合及初始上升法对薄膜驻极体的电荷陷阱深度进行了估算。实验结果表明，反应物中水的含量对薄膜驻极体的陷阱分布具有调节作用；估算出负电晕充电SiO2薄膜驻极体电荷的活化能为0.3eV和1.0eV ；环境湿度对电荷储存稳定性有一定的影响；降低栅压可以提高SiO2薄膜驻极体的电荷储存稳定性。

关键词: 多孔 , SiO2 , 薄膜 , 驻极体 , 性能