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Ga-Ti 共掺杂 ZnO 透明导电薄膜的微观结构和光电性能研究?

钟志有 , 龙路 , 陆轴 , 龙浩

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.16.002

采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了 Ga-Ti 共掺杂 ZnO(GTZO)透明导电薄膜,通过 XRD、四探针仪和分光光度计测试,研究了氩气压强对 GTZO 薄膜光电性能和晶体结构的影响。结果表明：所有 GTZO 薄膜均为(002)择优取向的六角纤锌矿结构,其光电性能和晶体结构与氩气压强密切相关。当氩气压强为0.4 Pa 时,GTZO 薄膜具有最大的晶粒尺寸(85.7 nm)、最小的压应力(-0.231 GPa)、最高的可见光区平均透射率(86.1%)、最低的电阻率(1.56×10-3Ω·cm)和最大的品质因子(4.28×105Ω-1·cm-1),其光电综合性能最佳。另外,采用光学表征方法计算了薄膜的光学能隙和折射率,并利用有效单振子理论对折射率的色散性质进行了分析,获得了 GTZO 薄膜的色散参数。

关键词: 透明导电薄膜 , 掺杂ZnO , 磁控溅射 , 光电性能

掺C的MgB2块材在静态Ar气氛下成相的研究

龙浩 , 张亮 , 冯庆荣

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2008.01.002

我们制备了掺碳二硼化镁系列样品MgB2-xCx(x=0、0.02、0.05、0.1、0.13、0.15、0.17),得到了x=0.02、0.05、0.13、0.15、0.17等样品在高温烧结过程的升温阶段的R～T曲线(简称为HT R～T曲线).发现这些样品的成相温度比不掺碳的MgB2样品的成相温度要低一些,处于500℃附近.我们也对x=0.0、0.05、0.1、0.13、0.15、0.17这一系列样品的X光图谱,低温M～T曲线,R～T曲线进行了测量和讨论.

关键词: MgB2 , HT R～T曲线 , 成相研究 , X光衍射图谱

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