骆英民
,
马剑刚
,
徐海阳
,
刘益春
,
钟殿强
,
齐秀英
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.018
采用电子束蒸镀方法在Si(100)衬底上沉积了ZnO:Al(ZAO)薄膜.在氧气气氛下对ZnO:Al薄膜进行了退火处理,退火温度的范围为400～800℃.X射线衍射(XRD)图样表明所制备的ZnO:Al薄膜具有六方结构,为c轴(002)择优取向的多晶薄膜.用Van der Pauw法测量了ZAO薄膜的电学特性,结果显示其电导率在500℃达到最大值.测量了ZAO薄膜的室温微区光致发光和变温发光光谱,观测到了ZnO自由激子、束缚在中性施主中心(D0)上的束缚激子以及束缚在离化施主中心(D+0)上的束缚激子发射.
关键词:
ZnO:Al薄膜
,
电子束蒸镀
,
退火
,
Van der Pauw法
,
光致发光谱
