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Y型沸石分子筛中CdSe半导体纳米团簇的制备及透射电镜的研究

马莉 , 黄长虹 , 王建波 , 王少阶

材料导报

采用离子交换法,以Y型沸石分子筛为基底,组装了CdSe纳米团簇.利用高分辨的透射电子显微镜考察了纳米团簇的分布、生长位置、粒径大小及形貌等.观察到排成周期阵列的量子点CdSe纳米团簇,量子点团簇相互连接形成超团簇颗粒.

关键词: 沸石分子筛 , CdSe , 纳米团簇 , 透射电子显微镜

CdSe半导体纳米团簇在Y型沸石中的制备及其研究

黄长虹 , 朱玉婵 , 马莉 , 王建波 , 王少阶

功能材料

利用沸石分子筛中规则的孔洞,制备了CdSe半导体纳米团簇样品.正电子湮没寿命谱及高分辨透射电子显微镜表明CdSe团簇生长在沸石的笼内以及沸石的表面,随着CdSe在沸石分子筛中质量比的增加,CdSe更多的聚集在沸石的表面.

关键词: 沸石分子筛 , 半导体纳米团簇 , 正电子湮没 , 高分辨透射电镜

符合多普勒展宽谱的源修正研究

苏本法 , 王柱 , 黄长虹 , 王少阶

原子核物理评论 doi:10.3969/j.issn.1007-4627.2005.03.008

测量了Ti,Ni,Cu,Al以及Si的符合多普勒展宽谱.对于Ni的多普勒展宽谱,采用最小二乘法拟合得出其中的源强度.给出了源修正前后湮没量子在Si中的多普勒展宽谱,讨论了源成分的影响.用高斯-抛物线模型拟合多普勒展宽谱,将多普勒展宽谱中自由电子的湮没贡献和束缚电子的湮没贡献分开,进而探讨了只对束缚电子的湮没贡献做源修正的方法.

关键词: 正电子湮没 , 符合多普勒展宽谱 , 源修正 , 最小二乘法

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