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PECVD法低温沉积多晶硅薄膜的研究

邱春文 , 石旺舟 , 黄羽中

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.03.011

在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜.选用的反应气体为SiF4和H2混合气体.加入少量的SiH4后,沉积速率提高了近10倍.分析认为,在低温时促使多晶硅结构形成的反应基元应是SiFm Hn(m+n≤3),而不可能是SiHn(n≤3)基团.

关键词: PECVD法 , 多晶硅薄膜 , 低温制备