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选择性刻蚀碳化硅制备金刚石的研究

王正鑫 , 卢文壮 , 黄群超 , 王晗 , 胥军 , 左敦稳

人工晶体学报

在高温下Cl2+ H2体系可促使SiC转化为金刚石.论文从热力学角度分析了Cl2选择性亥蚀SiC制备金刚石时,Cl2和H2对sp2、sp3杂化形式的C-C键的作用机制,从理论上推导了SiC转化为金刚石的气源中Cl2、H2比例范围.建立了SiC结构向金刚石结构转变时形成金刚石团簇的理论模型,根据该模型解释了SCDD膜的增厚机制.

关键词: 金刚石 , 碳化硅 , 氯气 , 热力学 , 选择性刻蚀