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程兴奎 , 马洪磊 , 周均铭 , 黄绮 , 王文新
量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.05.017
测量了GaAs/AlGaAs超晶格在T=77 K时的光电流谱,发现在波数v=1589 cm-1存在一个强电流峰.理论分析认为,该电流峰与超晶格界面的电子反射有关.据此算出的电流峰位置与实验观测结果一致.
关键词: 超晶格 , 界面 , 电子反射
程兴奎 , 王文新 , 周均铭 , 黄绮
量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2001.06.017
在T=77 K,测量出掺杂(Si)GaAs/AlGaAs超晶格的拉曼散射谱,观察到拉曼位移分别为223 cm-1和422 cm-1的两个光散射峰.理论分析认为,这两个散射峰是掺杂超晶格的等离子激元与纵光学声子耦合模引起的.这种耦合模引起的光散射峰位置的理论计算值与拉曼测量结果相当一致.
关键词: 超晶格 , 等离子激元 , 纵光学声子 , 耦合模
程兴奎 , 周均铭 , 黄绮
功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.023
在T=77K,测量了GaAs多量子阱的光电流,发现在ν=1312cm-1附近存在一个强电流峰,并且在这强电流峰附近的高波数区还有几个弱峰,强电流峰是量子阱中基态电子向第一激发态跃迁形成的,而弱峰与量子阱势垒以上的电子干涉有关.
关键词: GaAs量子阱 , 光电流 , 电子干涉
