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衬底温度对Sn掺杂ZnO薄膜结构、电学和光学性能的影响

谌夏 , 方亮 , 吴芳 , 阮海波 , 魏文猴 , 黄秋柳

材料导报

采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了掺杂浓度为0.5％(原子分数)的ZnO∶Sn(TZO)薄膜,研究了不同衬底温度下薄膜的结构、形貌、电学和光学的性能.研究发现,TZO薄膜沿着C轴择优生长,在400℃时结晶度最好,最低电阻率为2.619×10-2Ω·cm,在可见光范围内具有较好的透光率.

关键词: Sn掺杂ZnO薄膜 , 射频磁控溅射 , 光学性质 , 电学性质