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高纯超细氧化镁的制备工艺

郭孔彬 , 杨喜云 , 刘政坤 , 徐徽 , 黄海强

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.12.021

以MgCl2·6H2O为原料,PVA与CTAB为添加剂,采用氨水直接沉淀制备氢氧化镁前驱体,再经煅烧得到高纯超细氧化镁.研究了温度、镁离子浓度、添加剂用量、原料配比和煅烧温度对氧化镁粒度的影响.确定最佳工艺条件为:反应温度40℃,Mg2+浓度1 mol/L,PVA用量0.6%(质量分数),CTAB的用量1.2%(质量分数),n(NH3·H2O)∶n(MgCl2·6H2O)=3.3∶1,煅烧温度600℃,煅烧时间3h.荧光光谱分析表明,氧化镁纯度达到了99.9%以上;激光粒度和SEM结果显示,粒子分散性较好,平均粒径为190 nm,粒度分布呈正态分布.

关键词: 超细 , 氧化镁 , 沉淀

锆在含四丁基溴化铵异丙醇溶液中的腐蚀行为

杨喜云 , 黄海强 , 杨声海

中国有色金属学报(英文版) doi:10.1016/S1003-6326(16)64403-5

采用循环伏安、线性扫描、计时电流和扫描电镜(SEM)方法研究锆在含四丁基溴化铵异丙醇溶液中的腐蚀行为。循环伏安曲线表明,在 Br?击穿钝化膜诱发点蚀前,锆在异丙醇溶液中不发生活性溶解。扫描电子显微镜证实了点蚀的发生,且电位正移,点蚀加剧,深度增加,腐蚀面积增大。随着溶液温度升高,四丁基溴化铵的浓度增大,锆点蚀电位均下降;而随着扫描速度增大,锆点蚀电位升高。腐蚀电流密度随温度升高而增大,锆阳极溶解表观活化能为21.88 kJ/mol。计时电流曲线表明,四丁基溴化铵浓度增大,点蚀诱导时间缩短,点蚀成核和生长速度均增大。该研究结果有利于获得电化学合成异丙醇锆的最佳工艺条件。

关键词: , 阳极溶解 , 点蚀 , 异丙醇 , 四丁基溴化铵

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