白凡飞
,
贺平
,
贾志杰
,
黄新堂
,
何云
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2005.05.027
用ZnCl2作原料,PVP作分散剂,在160℃下采用原位生成法制得单分散、具有良好晶体结构和规则外形的ZnO纳米单晶分散液,用透射电子显微镜、X射线衍射、紫外/可见分光光度计等测试手段对其进行了表征.讨论了工艺条件对纳米ZnO尺寸和形貌的影响,并对其生长机理做了初步探讨.
关键词:
ZnO
,
PVP
,
原位生成法
,
单分散
王忠柯
,
黄新堂
,
王又清
,
王秋良
,
陈清明
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.05.009
应用氧离子束辅助准分子脉冲激光沉积薄膜技术,先在NiCr合金(Hastelloy c-275)基底上在室温下淀积具有平面织构的钇稳锆(YSZ)缓冲层薄膜,再在YSZ/NiCr基底上在750℃下制备具有平面织构和高临界电流密度的YBa2Cu3O7-x(YBCO)薄膜.YSZ和YBCO薄膜都为c-轴取向和平面织构的,YSZ(202)和YBCO(103)的X射线扫描衍射峰的全宽半峰值分别为18°和11°.YBCO薄膜的临界温度和临界电流密度分别为90K(R=0)和7.9×105A/cm2(77K,零磁场).
关键词:
准分子脉冲激光
,
YBCO薄膜
,
高临界电流密度
,
NiCr合金基底
,
织构
黄新堂
,
王又青
,
陈清明
,
徐启阳
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.03.021
室温下在不锈钢基底上应用Ar+离子源辅助,准分子脉冲激光沉积了CeO2薄膜.研究结果表明:在合适的工艺条件下,直接在不锈钢基底上可以制备出c轴取向的CeO2薄膜,但这时的CeO2薄膜在其a-b平面内没有观察到织构的信息;进一步在相同的条件下,首先在不锈钢基底上制备一层YSZ(Yttria-Stabilized Zirconia),再在YSZ/不锈钢上制备CeO2薄膜,实验结果显示出这时的CeO2薄膜不但是c轴取向,同时在其a-b平面内织构.CeO2(202)射线扫描图给出其全宽半峰值为20.
关键词:
脉冲激光
,
CeO2薄膜
,
不锈钢基底
,
离子源辅助