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在有效质量近似下,运用变分方法,考虑到量子点内电子和空穴的三维束缚以及由压电极化和自发极化所引起的内建电场,对圆柱型耦合GaN量子点的光学性质及激子态做了研究.给出了激子结合能Eb、量子点发光波长λ、电子-空穴复合率和量子点高度LGaN以及势垒层厚度LAlGaN之间的函数关系.结果表明,量子点高度LGaN、势垒层厚度LAlGaN的增加将导致激子结合能、电子-空穴复合率的降低,耦合量子点发光波长的增加.

关键词: 耦合量子点 , 压电极化 , 自发极化 , 量子约束斯塔克效应 , 带间光跃迁

GaN/AlN量子阱中的准受限声子

危书义 , 黄文登

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2005.04.009

采用基于宏观介电连续模型的传递矩阵方法研究了任意层纤锌矿量子阱中的准受限声子, 得出了任意层纤锌矿量子阱中的准受限声子的本征模解、色散关系; 对GaN/AlN单量子阱和耦合量子阱中的准受限声子的色散关系进行了数值计算和讨论.实验发现在阱内的受限行为导致了波矢qz,j的量子化,并且准受限声子的色散随量子阶数m的减小而增强,由色散曲线组成的带随m的增加而变窄.

关键词: 准受限声子 , 色散关系 , 量子阱

纤锌矿InxGa1-xN/GaN量子阱中的界面声子模

危书义 , 张芳 , 黄文登 , 李伟 , 赵旭

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.04.009

采用赝原胞模型计算讨论纤锌矿InxGa1-xN混晶性质;基于宏观介电连续模型的传递矩阵方法研究任意层纤锌矿量子阱中的界面声子, 得出任意层纤锌矿量子阱中的界面声子的本征模解和单量子阱的色散关系,并对InxGa1-xN/GaN单量子阱界面声子的色散关系进行了数值计算和讨论.结果表明,纤锌矿InxGa1-xN混晶中的E1声子和A1声子都表现为单模行为;在对称非应变单量子阱GaN/InxGa1-xN/GaN中,界面声子频率随x的变化呈线性关系.

关键词: InxGa1-xN/GaN , 界面声子 , 量子阱