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杨立功 , 顾培夫 , 叶辉 , 黄弼勤
量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.05.024
提出采用壳状结构和渐变有限深势阱模型的方法来分析界面效应对半导体量子点异质结的束缚态电子能级的扰动.模拟计算表明,对于处于强受限的量子点,界面效应明显.随着量子点的表面区域增大和量子点尺寸的减小,能级移动增加,在低能级时近似呈线性变化关系.
关键词: 光电子学 , 量子点异质结 , 界面效应 , 渐变势阱 , Airy函数法
