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多晶硅太阳电池双层SiNx镀膜工艺研究

周艺 , 欧衍聪 , 郭长春 , 肖斌 , 何文红 , 黄岳文 , 金井升

材料导报

采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析.结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率,其电性能明显提高,中短路电流提高了100mA,光电转换效率提高了1.34％.

关键词: 多晶硅太阳电池 , PECVD , 双层SiNx膜