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离子印迹聚合物对Sc(Ⅲ)的结合识别性能研究

张正国 , 杜瑞奎 , 李延斌 , 高保娇 , 安富强 , 黄小卫 , 张永奇 , 徐旸

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.增刊(Ⅰ).020

将功能大分子聚乙烯亚胺(polyethylenei-mine,PEI)化学接枝到硅胶微粒表面,成功制得了功能接枝材料 PEI/SiO2;采用表面印迹技术,以 Sc3+为模板离子,乙二醇二缩水甘油醚为交联剂,对硅胶表面的PEI大分子链进行了交联,同时实现了 Sc3+离子的印迹,制得了Sc3+印迹材料 IIP-PEI/SiO2.采用静态法研究了 IIP-PEI/SiO2对 Sc3+的结合特性与识别选择性.实验结果表明,Sc3+印迹材料 IIP-PEI/SiO2对Sc3+具有强的结合亲合性与优良的识别选择性.IIP-PEI/SiO2对Sc3+的结合容量可以达到1.08 mg/g,结合行为服从 Freundlich 单分子层吸附.相对于 Al3+离子和Fe3+离子,IIP-PEI/SiO2对Sc3+离子的选择性系数分别为4.21和5.73.对模拟和实际赤泥酸浸液进行了研究,实现了Sc3+的高效回收.另外,IIP-PEI/Si O 2具有良好的重复使用性能.

关键词: 表面印迹 , 聚乙烯亚胺 , 硅胶 , 钪离子 , 赤泥

氢氧化镧湿法氟化法合成氟化镧工艺研究

李明来 , 龙志奇 , 朱兆武 , 崔大立 , 彭新林 , 赵娜 , 崔梅生 , 黄小卫

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.03.020

采用了氢氟酸直接氟化氢氧化镧浆液的制备工艺,考察了工艺的可行性.研究了氢氟酸浓度、用量、反应温度、反应时间等因素对产物含氧量、氟化率和制备过程中过滤、洗涤的影响.通过差热分析、扫描电镜、X射线衍射等手段对产品的组成、形貌、结构等进行了研究.制备工艺为固液反应,工艺简单,产品分散性好,易过滤洗涤,质量稳定,工业可操作性强,流程短.

关键词: 氟化镧 , 氢氧化镧 , 氢氟酸 , 氟化反应

HDEHP和HEH/EHP混合萃取剂在硫酸介质中协同萃取RE(Ⅲ)的机制研究

张永奇 , 李建宁 , 黄小卫 , 王春梅 , 龙志奇 , 朱兆武 , 张国成

中国稀土学报

对HDEHP(H282)和HEH/EHP(H2L2)混合萃取剂在硫酸介质中萃取稀土元素(La,Nd,Sm,Gd)的机制进行了研究.研究表明,在水相平衡pH=2.0时,混合萃取剂萃取这几种元素的协萃系数分别为:1.96(La),3.52(Nd),5.96(Sm),5.71(Gd),并且协萃系数随水相平衡pH的升高而增加.利用斜率法分别确定了单一萃取剂HDEHP和HEH/EHP以及混合萃取剂HDEHP+HEH/EHP在硫酸体系中萃取稀土元素的配合物结构式分别为RE(SO4)xH2x(HB2)3,RE(SO4)xH2x(HL2)3以及HE(HB2)2(HL2).计算了反应的平衡常数及形成常数并确定了反应机制为阳离子交换反应.

关键词: 协同萃取 , 硫酸介质 , HEH/EHP , HDEHP , 稀土

稀土萃取分离废水制备氢氧化镁工艺研究

王猛 , 冯宗玉 , 黄小卫 , 龙志奇 , 侯永可 , 彭新林 , 王春梅

稀土

以白云石和稀土萃取分离过程中产生的氯化镁废水为原料制备氢氧化镁,为解决所得氢氧化镁料浆难过滤的问题,考察了温度、加料方式、加料速度、添加晶种、添加硫酸根以及直接碱转等工艺条件对料浆沉降过滤性能的影响.结果表明,与其它几种方式相比,采用轻烧白云石粉料加入氯化镁废水中的直接碱转方式,可以实现氢氧化镁料浆的快速沉降和过滤,并制备得到质量符合行业标准的氢氧化镁产品,利用XRD、SEM对其进行了表征.该工艺实现了氯化镁废水和白云石资源的综合利用.

关键词: 稀土萃取分离 , 氯化镁废水 , 氢氧化镁 , 沉降 , 过滤

氨皂化的P507微乳液导电行为及FT-IR光谱研究

彭新林 , 赵娜 , 朱兆武 , 龙志奇 , 李德栋 , 黄小卫 , 李红卫

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2006.04.013

利用电导法研究了氨皂化的P507形成的微乳液体系,Ea-VH2O%关系曲线表明,溶水率VH2O%为29%时微乳体系最稳定.利用FT-IR光谱研究了P507皂化时的分子结构变化、微乳液中水的存在形式及微乳液的相变化.增溶水过程发现,P507阴阳离子先发生水化,之后形成微液滴的内相,W/O型微乳液内相增溶水阶段出现渗透现象,再加入水使得分散相联通形成双连续相微乳液,最后发生相变,形成O/W型乳浊液.

关键词: 微乳液 , P507 , 电导率 , FT-IR

TSTGT蓝宝石晶体位错腐蚀形貌分析

王佳麒 , 张艳 , 裴广庆 , 周金堂 , 李涛 , 黄小卫 , 柳祝平

人工晶体学报

采用化学腐蚀-金相显微镜法,利用熔融的KOH对顶部籽晶温度梯度法(TSTGT)生长的直径320 mm的蓝宝石单晶中不同部位的晶片做了位错腐蚀形貌分析.研究表明,(0001)面的位错腐蚀坑呈三角形,腐蚀晶界具有延伸性.对比不同腐蚀时间、不同腐蚀温度和不同表面粗糙度下的腐蚀效果,发现使用KOH腐蚀剂在400℃腐蚀15min时,效果最好.表面粗糙度越小,位错图像越清晰.

关键词: 蓝宝石单晶 , 腐蚀 , KOH , 表面粗糙度

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