董国波
,
张铭
,
王玫
,
李英姿
,
李朝荣
,
李华
,
黄安平
,
严辉
人工晶体学报
采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了Cu2O薄膜.系统研究了衬底温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响.XRD的结果显示,在所有衬底温度条件下均可得到单相的Cu2O结构,而且随着衬底温度由500 K升至800 K,薄膜表现出(111)择优取向的生长特点.电学和光学测试结果表明,室温电导率和光学带隙随着衬底温度的升高而增加,800 K制备的薄膜的带隙值最高约为2.58 eV.
关键词:
Cu2O薄膜
,
电导率
,
光学带隙
,
衬底温度
蔡志海
,
杜玉萍
,
谭俊
,
张平
,
赵军军
,
黄安平
,
许仕龙
,
严辉
材料保护
doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2005.01.003
运用射频磁控溅射法在硅片上制备了立方氮化硼薄膜,并对射频功率、气体分压比及衬底偏压等参数对膜中立方氮化硼(c-BN)含量的影响进行了研究.采用傅立叶红外光谱(FTIR)、拉曼光谱、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对c-BN薄膜进行了表征和分析.结果表明:300 W的射频功率是制备c-BN薄膜的最佳条件;当气体分压比Ar/N2=5:1时,制备的薄膜中c-BN含量相对最高;立方氮化硼的形成存在偏压阈值(约80 V),低于此偏压c-BN很难形成.拉曼光谱分析进一步确认了BN薄膜的晶相结构.AFM和XPS分析结果表明c-BN薄膜结晶良好,晶粒尺寸细小,具有很好的化学配比,B原子与N原子的含量比为1:l.
关键词:
立方氮化硼薄膜
,
射频磁控溅射
,
拉曼光谱分析
曹庆超
,
黄安平
,
张维
,
郑晓虎
,
肖志松
,
王小威
,
季君晖
高分子材料科学与工程
导电聚合物可分为结构型导电聚合物和复合型导电聚合物,其中复合型导电聚合物主要是碳基材料或金属掺杂聚合物而得到。文中综述了碳基材料掺杂聚合物的导电机理和碳基材料掺杂聚合物导电特性的研究进展。导电机理主要有渗滤理论、隧道效应和场致发射理论等。目前应用于复合型导电聚合物的碳基材料主要为炭黑、碳纳米管和石墨烯等。文中还简要介绍了碳基材料掺杂聚合物的应用和发展趋势。
关键词:
聚合物
,
掺杂
,
碳纳米管
,
石墨烯
,
导电机理
王波
,
王玫
,
张德学
,
黄安平
,
宋雪梅
,
邹云娟
,
严辉
功能材料
采用磁控反应溅射方法,在Si(100)衬底上沉积c-BN薄膜.研究了溅射气压和沉积时间对薄膜结构的影响.结果表明.随溅射气压的升高或沉积时间的增加,都是削弱荷能粒子对衬底表面的轰击效果,并导致薄膜中c-BN相含量的减小.
关键词:
立方氮化硼
,
薄膜
,
红外光谱
王磊
,
冷杉
,
王波
,
黄安平
,
李小换
,
朱满康
,
严辉
功能材料
当ZnO薄膜直接沉积在Si衬底上时,由于ZnO与Si的晶格失配度大,不易于获得高质量的ZnO薄膜.因此,选择合适的衬底材料沉积ZnO薄膜,对提高其质量非常重要.本文采用射频磁控溅射法,通过在Si(100)衬底上预沉积AlN作为ZnO薄膜生长的缓冲层,获得了择优取向的ZnO薄膜.我们还讨论了ZnO薄膜在AlN/Si衬底上的取向生长机理.
关键词:
ZnO薄膜
,
磁控溅射
,
择优取向
盖人荣
,
肖志松
,
闫瑞
,
张峰
,
黄安平
材料导报
主要对微片激光器谐振腔的工作介质和腔端面反射膜进行讨论,其中谐振腔的工作介质主要包括晶体、陶瓷和玻璃3种,针对不同的光学器件应选用合适的工作介质.分析研究了谐振腔端面反射膜的膜材料的选择以及反射膜的结构设计,其中膜系结构设计主要包括膜层排列、膜层数和膜厚3个方面,还简要介绍了常用的反射膜制备工艺.最后,展望了微片激光器的技术和应用发展趋势.
关键词:
微片激光器
,
谐振腔
,
工作介质
,
反射膜
许仕龙
,
朱满康
,
黄安平
,
王波
,
严辉
无机材料学报
采用磁控溅射法,在衬底温度为620℃时,通过引入合适的衬底负偏压(100~200V),获得了结晶良好的Ta2O5薄膜,衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta2O5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性。同时,C—V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta2O5薄膜的介电性能.
关键词:
Ta2O5
,
dielectric films
,
crystallization temperature
,
bias
许仕龙
,
朱满康
,
黄安平
,
王波
,
严辉
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.044
采用磁控溅射法,在衬底温度为620°C时,通过引入合适的衬底负偏压(100~200V),获得了结晶良好的Ta2O5薄膜.衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta2O5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性.同时,C-V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta2O5薄膜的介电性能.
关键词:
Ta2O5
,
介电薄膜
,
晶化温度
,
衬底负偏压