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KrF光刻胶浸酸残留缺陷的机理研究及解决方案

黄君 , 毛智彪 , 景旭斌 , 曹坚 , 甘志峰 , 李芳 , 崇二敏 , 孟祥国 , 李全波

功能材料与器件学报

相对来讲,i线(i-line)抗酸性要大大强于KrF而不容易产生类似的缺陷,但器件尺寸微缩进入45/40nm技术节点以后,由于受到分辨率(Resolution)和焦深(Depth of Focus)的限制,双栅极(Dual Gate)蚀刻所用光刻胶由之前通用的i-line(波长365nm)改成KrF(波长248nm).由于这种缺陷会导致在双栅极氧化层湿法蚀刻后应该被蚀刻去除的栅极氧化层有残留,最终导致核心器件区栅极氧化层厚度不均匀而影响器件的性能.因此,KrF抗酸性研究就成为器件尺寸微缩进入45/40nm技术节点以后的一个课题.本文主要阐述了对双栅极氧化层湿法刻蚀中KrF光刻胶在DHF(Diluted Hydrogen Fluoride)中浸泡去除清洗过程中出现的隐形残留缺陷问题的发现,并且研究产生这种由于缺乏抗酸性而产生缺陷的机理,进而阐述通过多项基于这种现象和机理的DHF工艺蚀刻时间、光刻胶显影后烘焙硬化处理、UV光照处理、等离子体抗酸处理等实验过程及效果,最终总结出有效的解决方案:基于低温(摄氏90度)、低功率(小于1000W)下的以氧气和氮氢混合气为反应气体的Descum等离子处理非常有效地解决了光刻胶在酸液中形成残留缺陷的问题.

关键词:

NaSr4B3O(9-3x/2)Nx∶Eu2+红色荧光粉制备及发光性能的研究

陈七仙 , 吴铭 , 李林茹 , 黄君 , 余华 , 李晨霞 , 邓德刚 , 徐时清

中国稀土学报 doi:10.11785/S1000-4343.20160503

实验通过传统的高温固相合成法合成了一系列的NaSr4B3O(9-3x/2)Nx∶Eu2+红色荧光粉.NaSr3.98B3O(9-3x/2)Nx∶Eu2+荧光粉具有立方相晶体结构,空间群为Ia-3d,其结构内拥有两个不同配位的发光中心分别为八配位和六配位.NaSr3.98B3O(9-3x/2)Nx∶Eu2+荧光粉的激发光谱可以与近紫外LED芯片很好地符合,由于Eu2+离子的4f65d1→4f7能级跃迁,使得NaSr4 B3O(9-3x/2)Nx∶Eu2+荧光粉表现出发光中心位于610 rnm附近的红色宽带发射,半高宽约为110 nm.NaSr3.99B3O8.1N0.6∶0.02Eu2荧光粉的最佳掺N浓度为x=0.8,其寿命在两个不同的发光中心的平均衰减时间分别为603和510 ns.在y=0.02时,NaSr4-yB3O8.1N0.6∶yEu2+荧光粉的发射光谱发生了浓度猝灭现象,计算得到其激活剂离子间的临界距离为2.712 nm,导致浓度猝灭的激活剂离子之间的相互作用的方式为偶极子-偶极子.以上结果表明,NaSr4B3O(9-3x/2)Nx∶Eu2荧光粉有望成为白光LED的光色转换材料.

关键词: 红色荧光粉 , NaSr4B3O(9-3x/2)Nx∶Eu2+ , 发光性能 , 白光LED

强电场下压电功能梯度板非线性动力分析的样条有限点法

李双蓓 , 黄君 , 顾春霞 , 黄贤智

玻璃钢/复合材料

针对强电场作用下基于线性压电本构方程求解压电功能梯度板固有频率存在误差的问题,本文考虑非线性压电效应,采用样条有限点法建立压电非线性动力分析模型,讨论强电场作用下压电非线性效应对固有频率的影响.研究表明,强电场作用下压电线性解与非线性解偏差较大,非线性效应不容忽视;由于功能梯度板的材料特性,相同电场强度下不同的施加方式,会得到不同的固有频率控制效果;基于样条有限点法建立的分析模型精确可靠,具有输入简单、处理边界条件简便等优点.

关键词: 压电材料 , 功能梯度材料 , 非线性压电效应 , 固有频率 , 样条有限点法

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