宋文海
,
姜柳笛
,
赵兵
,
蒲明华
,
吴兴才
,
黄卫东
,
孙玉平
,
杜家驹
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.06.014
研究了不同含量纳米银掺杂的(Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3Ox块材.DTA分析表明纳米银掺杂使材料熔点降低,加速了高Tc相的形成.磁场下R-T展宽测试表明,纳米银掺杂大大提高了磁通蠕动激活能,其中最佳掺杂15wt%Ag时激活能提高5～6倍;掺杂样品的钉扎能U(H)随磁场降低比非掺杂样品要慢,改善了磁场下的传输性能.交流磁化率测量表明纳米银掺杂使晶间损耗峰向高温移动20K,说明纳米银掺杂改善了晶界弱连接,并大大增强了晶界的涡旋钉扎能力.
关键词:
黄卫东
,
王旭洪
,
盛玫
,
徐立强
,
罗乐
,
冯涛
,
王曦
,
张富民
,
邹世昌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.015
利用等离子体化学气相沉积( PECVD)技术 ,采用不同的沉积条件 (20～ 180℃的基板温度范 围和 10～ 30W的射频功率 )制备了氮化硅薄膜,研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的 影响.实验发现随着基板温度的增加 ,氮化硅薄膜的密度、折射率和 Si/N比相应增加 ,而沉积速 率和 H含量相应减少 ;随着射频功率的增加 ,氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和 Si/N比相 应增加 ,而 H含量相应减少.水汽渗透实验发现即使基板温度降低为 50℃,所沉积的氮化硅薄膜 仍然具有良好的防水性能.实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件( OLED) 的封装.
关键词:
氮化硅薄膜
,
有机发光器件
,
封装
王建忠
,
奚正平
,
汤慧萍
,
黄卫东
,
朱纪磊
,
李程
,
敖庆波
,
稀有金属材料与工程
描述电磁辐射的危害及电磁屏蔽材料的屏蔽机制,重点阐述金属纤维制备电磁屏蔽织物、电磁屏蔽聚合物材料及电磁屏蔽建筑与装饰材料的应用及研究进展,并对未来电磁屏蔽材料的发展趋势作预测,指出开发具有高吸收率、低反射率与低透射率的高性能、低消耗兼绿色环保的新型电磁屏蔽材料是未来的研究重点,同时对材料内部组织与结构进行优化,改进成型工艺,提高其电磁屏蔽效能.
关键词:
金属纤维
,
电磁屏蔽
,
混纺织物
,
聚合物
王建忠
,
奚正平
,
汤慧萍
,
黄卫东
,
朱纪磊
,
敖庆波
,
支浩
材料导报
不锈钢纤维织物具有电磁屏蔽效能良好及防辐射效果持久、透气性好、穿着舒适、加工方便等特点,是当今世界上应用最广泛的高效屏蔽织物.简要描述了不锈钢纤维混纺纱线、不锈钢纤维织物的制备方法及其产品开发现状,重点阐述了不锈钢纤维特性、纱线结构、织物结构及电磁波频率等因素对不锈钢纤维织物电磁屏蔽效能的影响规律.此外,还指出对电磁波屏蔽机理的探索和产品的开发是该材料领域今后的研究重点.
关键词:
电磁污染
,
不锈钢纤维织物
,
电磁屏蔽效能
,
产品开发
黄卫东
,
王旭洪
,
王莉
,
盛玫
,
徐立强
,
FrankStubhan
,
罗乐
腐蚀学报（英文）
测量了在FR4基板上用引线键合和顶充胶封装的湿度传感器在无防护、氮化硅薄膜防护、硅酮涂层防护、硅酮涂层加氮化硅薄膜防护四种情况下及在不同温湿度环境下的水汽扩散曲线。应用有限元分析和FICK扩散方程模拟了实验曲线，得到了水汽在各种防护条件下的扩散系数，进而计算出水汽扩散的激活能，定量比较了各种防护方法的效果。实验和模拟结果表明：硅酮加氮化硅薄膜的双层防护可以显著改善电子模块的防水性能。
关键词:
封装
,
null
,
null
,
null
黄卫东
,
王旭洪
,
王莉
,
盛玫
,
徐立强
,
Frank Stubhan
,
罗乐
腐蚀学报（英文）
doi:10.3969/j.issn.1002-6495.2004.05.007
测量了在FR4基板上用引线键合和顶充胶封装的湿度传感器在无防护、氮化硅薄膜防护、硅酮涂层防护、硅酮涂层加氮化硅薄膜防护四种情况下及在不同温湿度环境下的水汽扩散曲线.应用有限元分析和FICK扩散方程模拟了实验曲线,得到了水汽在各种防护条件下的扩散系数,进而计算出水汽扩散的激活能,定量比较了各种防护方法的效果.实验和模拟结果表明:硅酮加氮化硅薄膜的双层防护可以显著改善电子模块的防水性能.
关键词:
塑料封装
,
湿度传感器
,
水汽扩散
,
有限元分析
杨高林
,
林鑫
,
胡桥
,
张莹
,
汪志太
,
李鹏
,
黄卫东
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2012.00680
将Cu模铸造得到的Zr55Cu30Al10Ni5块体非晶合金分别在390,430,530,792和902℃进行退火处理,并采用脉冲激光对其进行重熔,研究基材晶化特征对熔池及热影响区晶化行为的影响.结果表明,未晶化的退火处理试样(经390和430℃退火处理)在激光重熔后,热影响区的晶化特征不受初始退火处理温度的影响.完全晶化的退火处理试样(经530,792和902℃退火处理)在激光重熔后,熔池基本上保持了非晶状态.经530和792℃退火处理后试样的熔池底部没有发现外延生长现象.经902℃退火处理的试样在激光重熔后,单次激光重熔的熔池底部有少量的外延生长,而经11次激光重熔的熔池底部无外延生长.分析表明,外延生长是因为CuZr2初生相在重熔过程中在熔池底部产生了成分保留区域.由于熔池内非晶合金的扩散缓慢,在激光重熔Zr55Cu30Al10Ni5非晶合金过程中,熔池底部即使是晶态也难以产生外延生长,所以激光加工Zr55Cu30Al10Ni5非晶合金时,熔池内很容易保持非晶状态.
关键词:
Zr55Cu30Al10Ni5 块体非晶合金
,
退火处理
,
激光
,
外延生长
黄卫东
,
左禹
,
魏龙
,
王文华
腐蚀学报（英文）
测量了非晶态NiCrFeSiB合金电化学渗氢前后的正电子寿命谱,探索氢与非晶态结构中的空位型缺陷的相互作用.合金中主要存在自由体积和空位团两种类型的缺陷,低电流渗氢对缺陷结构无明显影响,高电流渗氢导致空位团型缺陷浓度升高,但不稳定,当氢逸出后又会分解,合金结构恢复到稳定状态.
关键词:
非晶态合金
,
hydrogen
,
positron
孙志国
,
黄卫东
,
蒋玉齐
,
罗乐
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.016
利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在基板靠近边的位置和中心位置时应力水平接近,但是靠近基板一角的位置应力较大,而且在热处理过程中应力出现"突跳"和"尖点".
关键词:
硅压阻传感器
,
残余应力
,
位置
,
失效
