邓文
,
胡益丰
,
岳丽
,
郝文博
,
黄乐
,
黄宇阳
,
熊良钺
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.03.008
采用正电子湮没技术研究了NiTi合金在降温和升温过程中缺陷和电子密度随温度的变化.在降温过程中,当温度从295K降至225K时,合金的电子密度nb随温度的降低而下降,在225K时降至最小;随后,nb随温度的降低而升高.当温度从295K降至221K时,合金缺陷的开空间随温度的下降而升高,在221K时达到最大值;随后,缺陷的开空间随温度的下降而下降.在升温过程中,当温度从25K升至253K时,合金的电子密度nb随温度的升高而降低,并在253K时达到最小;当温度从253K升至295K时,合金电子密度nb随温度的升高而升高.在相变临界温度点Ms=222K,Mf=197.2K,A,=237.5K,Af=255.5K附近,合金的电子密度nb及合金缺陷的开空间均有异常的变化.
关键词:
NiTi合金
,
微观缺陷
,
电子密度
,
马氏体相变
,
正电子湮没
黄宇阳
,
郝文博
,
岳丽
,
黄乐
,
胡益丰
,
邓文
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.03.009
测量了石墨和纳米碳在不同温度下的正电子寿命谱,研究了石墨和纳米碳中缺陷和电子密度随温度的变化.结果表明,纳米碳中缺陷的开空间和缺陷浓度分别大于和高于石墨晶体;纳米碳的平均自由电子密度低于石墨晶体.当温度从25K升至295K时,石墨和纳米碳中的平均自由电子密度随温度的升高而下降:石墨晶体中的自由电子密度随温度的升高变化较小;纳米碳的自由电子密度随温度的升高变化较大.随着温度的升高,石墨和纳米碳中的热空位数量增多,而且这些空位可迁移至微孔洞的内表面使微孔洞的开空间增大.
关键词:
正电子湮没
,
石墨
,
纳米碳
,
微观缺陷
,
电子密度
王一建
,
钟金环
,
黄乐
,
施国颖
涂料工业
doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2009.12.006
根据金属腐蚀理论,分析了金属材料与有机涂层表面与界面的关系,阐述了金属工件涂装前处理技术的现状,展望了节能环保型涂装前无磷、无铬的锆盐与硅烷处理技术,及低温等离子处理的技术发展趋势.
关键词:
金属表面
,
涂装前处理
,
金属防护
,
磷化
,
锆盐处理
,
硅烷处理
,
等离子处理
黄福祥
,
马莒生
,
宁洪龙
,
黄乐
,
韩振宇
,
徐忠华
功能材料
铜合金由于具有优良的导电导热性能,已在现代集成电路塑料封装中占据了引线框架材料80%的份额.但铜合金容易氧化,其氧化膜被认为是塑料对装再流焊工艺中的分层和裂纹的主要原因之一,因此引线框架铜合金的氧化特性引起了人们的广泛注意.为获得铜合金引线框架良好的可靠性,不少材料工作者对铜舍金在塑料封装中的氧化特性及其对铜合金与环氧树脂模压料(EMC)的粘接强度的影响进行了研究,为此,本文对引线框架铜合金的氧化物结构及动力学、铜合金与环氧树脂模塑料(EMC)粘接强度的影响因素等领域的研究进行了综述.
关键词:
塑料封装
,
铜合金
,
引线框架
,
氧化
,
粘接强度
马莒生
,
黄福祥
,
黄乐
,
耿志挺
,
宁洪龙
,
韩振宇
功能材料
引线框架材料是半导体元器件和集成电路封装的主要材料之一.其主要功能为电路连接、散热、机械支撑等.随着IC向高密度、小型化、大功率、低成本方向发展,集成电路I/O数目增多、引脚间距减小,对引线框架材料提出了高强度、高导电、高导热等多方面性能上的要求.由于拥有良好的导电导热性能.铜合金已成为主要的引线框架材料.本文对电子封装铜舍金引线框架材料的性能要求、国内外研究与发展等进行了综述.
关键词:
引线框架材料
,
铜合金
,
高强度
,
高导电
胡益丰
,
邓文
,
黄乐
材料导报
NiTi合金具有优异的形状记忆功能和良好的生物体兼容性,近年来对它的应用研究受到工程界和医学界的重视,同时对NiTi合金形状记忆效应的微观机制的研究也在逐步深入.介绍了NiTi合金的主要特性及影响其形状记忆功能的主要因素,总结了NiTi合金的形状记忆效应和超弹性的微观机制研究现状,并指出了需对该合金进一步研究的一些问题.
关键词:
NiTi合金
,
马氏体相变
,
形状记忆效应
,
超弹性
,
微观机制
