赖俐超
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张丰如
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唐春保
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郭远凯
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黄业
材料保护
为了除去电解铜箔生箔电解液中微量的铅,实现电解液的循环利用,提出了一种加入氢氧化钡-活性炭联合处理除铅的方法.研究了各因素对除铅效果的影响,分析了除铅机理,确定了联合处理除铅的工艺条件.结果表明:使用该工艺处理生箔电解液,在氢氧化钡用量为电解液中铅质量25倍时,2g/L活性炭,50℃,处理40min,铅去除率可达99.31％.该工艺操作方便、处理简单、除铅效果好,延长了电解液和钛铱阳极的使用周期,降低了生产成本.
关键词:
铜箔电解液
,
氢氧化钡
,
活性炭
,
除铅
黄业
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左然
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唐斌龙
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张红
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刘鹏
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张国义
人工晶体学报
在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN厚膜中,反应腔壁面总会产生大量的寄生沉积,严重影响薄膜生长速率及质量.本文针对自制的大尺寸垂直式HVPE反应器,通过数值模拟与实验对比,研究了反应腔壁面沉积以及GaN生长速率的分布规律,特别是寄生沉积分布与载气流量的关系.研究发现:在基准条件下,顶壁寄生沉积速率由中心向边缘逐渐降低,与实验结果吻合;侧壁沉积出现8个高寄生沉积区域,对应喷头边缘处排布的GaCl管,说明沉积主要取决于GaCl的浓度输运;模拟得出的石墨托表面生长速率低于实验速率,但趋势一致.保持其他条件不变,增大NH3管载气N2流量,顶壁和侧壁的寄生沉积速率及分布区域均随之增大,石墨托表面生长速率随之减小而均匀性却随之提高;增大GaCl管载气N2流量,顶壁和侧壁的寄生沉积速率及分布区域均随之减小,石墨托表面生长速率随之增大而均匀性却随之降低.研究结果为大尺寸HVPE反应器生长GaN的工艺优化提供了理论依据.
关键词:
HVPE反应器
,
GaN
,
寄生沉积
,
数值模拟
