杨雁
,
李盛涛
,
李晓
,
吴高林
,
王谦
,
鲍明晖
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12012
研究了固相反应法及共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷深陷阱松弛特性. 测试了CaCu3Ti4O12陶瓷在频率为0.1~107 Hz, 温度为–100~100℃的范围内的介电频谱及温谱. 通过对不同温度下介电频谱的分析, 研究了双Schottky势垒结构中深陷阱松弛特性. 研究表明：在交流小信号作用下, 由于Schottky势垒中深陷阱与Fermi能级的上下关系发生变化, 引起深陷阱电子发射和俘获即电子松弛过程, 在介电频谱中表现为松弛峰; 并且由介电谱的分析结果可得深陷阱能级等微观参数. 比较不同试样的深陷阱参数可知：在CaCu3Ti4O12陶瓷中, 在导带以下约0.52和0.12 eV的能级处存在由本征缺陷产生的深陷阱. 介电温谱与频谱的分析类似, 二者可以互为补充.
关键词:
CaCu3Ti4O12陶瓷; 介电频谱; 松弛特性; Schottky势垒
杨雁
,
李盛涛
,
李晓
,
吴高林
,
王谦
,
鲍明晖
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12012
研究了固相反应法及共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷深陷阱松弛特性.测试了CaCu3Ti4O12陶瓷在频率为0.1～107 Hz,温度为-100～100℃的范围内的介电频谱及温谱.通过对不同温度下介电频谱的分析,研究了双Schottky势垒结构中深陷阱松弛特性.研究表明:在交流小信号作用下,由于Schottky势垒中深陷阱与Fermi能级的上下关系发生变化,引起深陷阱电子发射和俘获即电子松弛过程,在介电频谱中表现为松弛峰;并且由介电谱的分析结果可得深陷阱能级等微观参数.比较不同试样的深陷阱参数可知:在CaCu3Ti4O12陶瓷中,在导带以下约0.52和0.12 eV的能级处存在由本征缺陷产生的深陷阱.介电温谱与频谱的分析类似,二者可以互为补充.
关键词:
CaCu3Ti4O12陶瓷
,
介电频谱
,
松弛特性
,
Schottky势垒
