张学贵
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王茺
,
杨杰
,
潘红星
,
鲁植全
,
李亮
,
杨宇
功能材料
采用离子束溅射技术,在不同温度的Si(100)衬底上生长了一系列Ge量子点样品,利用AFM和Raman光谱对样品表面形貌和结构进行表征,结果表明,随着温度升高,量子点密度增大(750℃生长的量子点密度达到1.85×1010cm-2),均匀性变好及结晶性增强;但随生长温度升高,Si-Ge互混程度也同时加剧.
关键词:
离子束溅射
,
量子点
,
表面形貌
,
Raman光谱
夏中高
,
王茺
,
鲁植全
,
李亮
,
杨宇
人工晶体学报
采用磁控溅射技术在SiO2/Si(100)表面上制备了一系列不同生长温度的Ge纳米点样品.原子力显微镜(AFM)的实验结果表明:不同衬底温度下Ge纳米点在SiO2薄膜上的生长模式和尺寸分布有所不同.当衬底生长温度达到500 ℃时,SiO2开始与Ge原子发生化学反应,并形成"Ge纳米点的Si窗口".在此温度条件下,外延生长实验可获得尺寸均匀且密度高达3.2×1010 cm-2的Ge纳米点.
关键词:
磁控溅射
,
Ge纳米点
,
SiO2薄膜
