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GaN材料的横向外延过生长(LEO)及其特性研究

魏茂林 , 齐鸣 , 孙一军 , 李爱珍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.007

对用LEO技术生长GaN材料的选择生长和横向生长速率进行了实验研究.结果表明,作为LEO生长基板的GaN层的表面质量是实现选择生长的关键,而图形方向对横向生长速率与纵向生长速率之比(L/V)也有重要的影响.通过选择合适的工艺条件,实现了GaN材料的LEO外延生长,所得样品的X射线衍射峰宽比用常规MOCVD法生长的样品减小了1/3.

关键词: GaN , MOCVD , 横向过生长 , 外延

横向过生长 (LEO)外延 GaN材料及其生长机理

魏茂林 , 齐鸣 , 李爱珍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.020

由于没有合适的衬底材料与之匹配，使外延生长的 GaN材料缺陷密度很大，从而限制了它的 应用。采用 LEO(横向过生长外延 )技术能使缺陷密度降低 3～ 4个数量级，可生长出高质量的 GaN 材料。本文简要介绍了应用 LEO技术生长 GaN材料的现状及对生长机理研究的进展。

关键词: 外延 , 生长机理 , GaN

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