韦永林
,
朱世富
,
赵北君
,
王瑞林
,
高德友
,
魏昭荣
,
李含东
,
唐世红
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.014
通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te (CZT)单晶体的I-T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV.由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器.另外还研究了CZT晶体在室温下的I-V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω*cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am 59.5keV能谱.
关键词:
CZT单晶体
,
I-T特性曲线
,
激活能
,
探测器
,
缺陷能级
陈俊
,
朱世富
,
赵北君
,
高德友
,
魏昭荣
,
李含冬
,
韦永林
,
唐世红
功能材料
利用CdZnte晶体晶面夹角之间的关系采用激光正反射法对改进布里奇曼法生长的CdZnTe单晶进行定向,研磨出了CdZnTe单晶体的(111)、(100)面.采用自行研制的HHKA腐蚀液对三个面进行择优腐蚀,得到了(111)、(100)和(110)面的腐蚀照片,并计算出了蚀坑密度(EPD)约为104～105/m2数量级.结果表明生长晶体的质量较好.
关键词:
晶体生长
,
蚀坑密度
,
布里奇曼法
,
晶体定向
高德友
,
赵北君
,
朱世富
,
王瑞林
,
魏昭荣
,
李含冬
,
韦永林
,
唐世红
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.012
本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察.结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103～105/cm2数量级.这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体.
关键词:
碲锌镉
,
单晶体
,
蚀坑观察
,
SEM形貌
朱兴华
,
杨定宇
,
孙辉
,
魏昭荣
,
李乐中
,
杨维清
,
祖小涛
功能材料
采用近空间升华法在玻璃衬底上制备PbI2厚膜,研究了工艺参数对样品晶体结构、形貌和光致发光性质的影响。实验显示,沉积速率随着源温度的升高和沉积气压的下降而急剧增大。XRD谱表明PbI2膜为沿[001]晶向择优取向的六方多晶体,晶粒尺寸随沉积速率的增大而逐渐减小。同时,沉积速率增大还导致膜压应力变大,晶格常数减小,使（001）晶面衍射峰向大角度方向移动。SEM照片显示样品为（001）晶面堆积而成的片状晶粒结构,晶粒c轴与衬底平行。随着沉积速率的增大,晶粒有序性和膜致密度下降,同时（001）晶面上由于六方中心亚晶粒的出现而导致表面粗糙度大幅增大。样品的PL发光谱显示了本征发射特征,发光锋随沉积速率的增大向长波方向移动,同时峰位展宽,强度减弱。
关键词:
近空间升华法
,
PbI2厚膜
,
沉积速率
,
压应力
,
六方中心
,
发光峰
朱兴华
,
杨定宇
,
魏昭荣
,
杨维清
,
孙辉
,
李乐中
,
高秀英
人工晶体学报
采用电子束蒸发法制备PbI2多晶膜,研究了制备条件对沉积速率和晶体结构的影响.结果表明,源-衬间距和衬底温度对沉积速率的影响不具单调性,沉积速率随源-衬间距增大、衬底温度升高呈波动起伏.不同条件下制备的PbI2膜均属六方结构,但结晶质量和择优生长晶面存在差异.实验发现,随着膜层厚度增大,样品的结晶质量提高,当膜厚超出某一临界值,其结晶质量出现明显的下降.同时,随着衬底温度升高,PbI2膜的择优生长方向由80 ℃的(110)晶面转变为120 ℃的(001)晶面,且高级次(002)、(003)、(004)晶面的衍射峰逐渐增强,样品的c轴择优取向生长更加明显.综合以上,在电子枪束流25 mA、电压6.5 kV,源-衬间距30 cm、衬底温度160 ℃的条件下,采用电子束蒸发制备的PbI2多晶膜具有最佳的结晶性能.
关键词:
PbI2多晶膜
,
沉积速率
,
源-衬间距
,
衬底温度
朱兴华
,
杨定宇
,
魏昭荣
,
孙辉
,
李乐中
,
高秀英
,
杨军
人工晶体学报
采用电子束蒸发法制备PbI2膜,研究不同工艺参数对制备样品光学性质的影响.结果表明,制备样品属于六方相多晶结构,随衬底温度的升高,样品中的I元素含量降低并趋于理想化学配比.随着衬底温度的升高,PbI2膜的光谱透过性能逐渐改善,吸收边沿低能一侧的拖尾逐步消除,源自样品结晶质量的提高.根据紫外-可见透过谱,计算了不同条件下制备样品的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙.结果发现,随衬底温度的升高,制备样品的折射率和光学带隙出现波动变化,但吸收系数单调增大.在相同的衬底温度下,35 cm的源-衬间距下制备的样品具有最大的光吸收系数,归因于该系列样品较高的致密度.
关键词:
PbI2膜
,
衬底温度
,
紫外-可见透过谱
,
吸收系数
,
光学带隙
朱兴华
,
赵北君
,
朱世富
,
金应荣
,
魏昭荣
,
高秀英
人工晶体学报
对Pb-I系统L2+L3相的分层熔体在结晶过程中发生的相变进行了研究.结果表明,在富Pb配料的PbI2熔体凝固过程中,PbI2晶粒的析出和富余Pb的沉积是各相间的动态交换,结晶后富余的Pb将以单质的形式凝固于单相PbI2晶体底部.据此,设计出特殊结构的石英生长安瓿,采用垂直Bridgman法生长出尺寸为10 mm×20 mm、完整性好的PbI2晶体.XRD分析结果表明该晶体为2H结构,P3ml空间群,EDX分析结果表明沉积于籽晶袋球泡中的Pb含量为100 at%,晶体生长实验的结果与Pb-I系统的相变分析一致.
关键词:
Pb-I系统
,
相变
,
富铅配料
,
PbI2晶体
,
晶体生长
杨定宇
,
郑家贵
,
朱兴华
,
魏昭荣
,
夏庚培
,
冯良桓
功能材料
分别采用近空间升华法和电子束蒸发法在透明导电玻璃和普通载玻片上制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜.对制备样品的表征结果表明:(1)两种方法制备样品都沿(002)晶向择优生长,属于六方相多晶结构,但择优取向度不同;(2)CdS薄膜表面连续而致密,粒径均匀,但两种工艺制备样品的S:Cd原子比有较大差异;(3)CdS薄膜的光能隙在2.39～2.44eV之间,电子束蒸发制备样品光能隙稍小.分析认为,两种方法制备样品的上述差异可能与衬底温度、沉积时间及成膜机制的不同相关.
关键词:
CdS多晶薄膜
,
太阳电池
,
近空间升华法
,
电子束蒸发法
