孟骁然
,
平云霞
,
常永伟
,
魏星
,
俞文杰
,
薛忠营
,
狄增峰
,
张苗
,
张波
功能材料与器件学报
本文详细研究了高锡含量锗锡合金(Ge0.92Sn0.08)与镍在退火条件下的反应.通过表层电阻测试、原子力显微镜和透射电镜等表征手段,我们分别研究了镍锗锡材料在300℃、400℃、500℃温度下退火后的表面和界面形貌.研究表明:与镍和锗反应相比,镍和锗锡材料反应生成的镍锗锡薄膜热稳定性变差,退火温度400℃后镍锗锡薄膜表层电阻就迅速增加,样品表面变得不连续,团聚为平均长度200nm左右的岛状晶粒,样品表面和界面与电学性质都遭到了破坏.
关键词:
锗锡合金
,
镍
,
热稳定性
张波
,
陈静
,
魏星
,
武爱民
,
薛忠营
,
罗杰馨
,
王曦
,
张苗
功能材料
采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜.利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究.研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低.
关键词:
氮化镓
,
绝缘体上硅
,
侧向外延
魏星
,
李雪梅
,
何本桥
,
殷勇
,
何涛
膜科学与技术
doi:10.3969/j.issn.1007-8924.2011.06.010
膜蒸馏是一种低能耗、高效率的海水淡化技术.文章借鉴了制备压力推动膜材料的思路,采用非对称、孔结构高度连通的亲水聚醚砜膜,通过CF4等离子体表面改性,将亲水膜改性为疏水膜材料,并应用于直接接触式膜蒸馏(DCMD)过程.对膜的结构,接触角和DCMD性能进行了表征.结果显示,改性后PES膜表面水接触角达120°.以4％ NaC1水溶液为原料,膜蒸馏中水通量达44 kg/(m2·h)(盐水温度72.6℃,冷水侧温度15℃),对盐的截留率达99.96％.实验表明,孔连通性较好的小孔径聚醚砜膜具有较好的膜蒸馏性能,可能成为具有商业用途的膜材料.
关键词:
膜蒸馏
,
表面处理
,
疏水
,
聚醚砜
,
四氟化碳
张波
,
俞文杰
,
薛忠营
,
魏星
功能材料与器件学报
本文主要研究了不同剂量C+离子预先注入Si08Ge0.2衬底后,对Ni和Si0.8Ge0.2反应的影响.研究结果充分表明:C+离子注入的Si08Ge02衬底,降低了Ni和Si0.8Ge0.2反应的速度,提高了NiSi08Ge0.2的热稳定性.此外,我们发现C原子分布在NiSi0.8Ge02/Si0.8Ge0.2的界面,大幅度降低了Ni-Si0.8 Ge0.2表面和NiSi0.8 Ge0.2/Si0.8Ge0.2界面的粗糙度,高剂量C+注入的样品效果更为明显.
关键词:
镍
,
硅锗
,
碳
崔岩
,
王瑞珍
,
魏星
,
雍岐龙
钢铁
应用连续退火模拟机研究了连续退火工艺各个参数对超低碳烘烤硬化钢板烘烤硬化性能的影响.试验结果表明:提高退火温度可增加NbC的回溶量,而且晶粒尺寸增大使碳原子的晶界偏聚量减少,从而提高了钢板的烘烤硬化性能;提高缓冷段冷速能减少NbC析出,有利于烘烤硬化性能的提高;快冷段冷速和过时效温度对烘烤硬化性能均无明显影响;提高过时效后冷速使碳原子向晶界偏聚的时间缩短,对于提高烘烤硬化性能也是有利的.
关键词:
超低碳钢
,
烘烤硬化
,
连续退火
,
固溶碳
魏星
,
乔忠良
,
薄报学
,
陈静
,
张苗
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.05.002
研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阚值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%.
关键词:
湿法刻蚀
,
脉冲阳极氧化
,
斜率效率
薛忠营
,
张波
,
魏星
,
张苗
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2011.02.005
采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态.通过与Si上外延渐变缓冲层制备的SiGe材料比较发现,使用这种超薄的全应变SiGe叠层材料来制备SGOI,可以大大缩短制备周期,降低制备成本.
关键词:
外延
,
应变
,
锗硅
,
SOGI
屈婧婧
,
魏星
,
经本钦
,
刘飞
,
袁昌来
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150155
采用固相法制备了(1-x)(Sr0.2Nd0.208Ca0.488) TiO3-xNd(Ti0.5Mg0.5)O3(0.3≤x≤0.4,SNCT-NTMx)系微波介质陶瓷材料,并研究了该体系的相组成、显微结构、烧结性能和微波介电性能之间的关系.结果表明:在x=0.3～0.35范围内,SNCT-NTMx陶瓷形成了正交钙钛矿固溶体,并伴随有少量未知第二相;当x增至0.4时,第二相含量有所增加.介电性能研究结果显示:随着x的增加,体系介电常数(εr)减小,但品质因子(Q×f)得到改善;此外,体系谐振频率温度系数(τf)随NTM含量的增加逐渐向负值方向移动.当x=0.35,陶瓷样品在1520℃烧结4h得到的微波介电性能较优:εr=50.1,Q×f=44910 GHz,τf=-1.7× 10-6/℃.
关键词:
(Sr0.2Nd0.208Ca0.488)TiO3
,
Nd(Ti0.5Mg0.5)O3
,
钙钛矿
,
微波介电性能
屈婧婧
,
魏星
,
宋小辉
,
袁昌来
,
刘飞
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160317
采用固相反应法合成了(Sr0.2Nd0.208Ca0.488)Ti1-x(Mg1/3Ta2/3)xO3(0.2≤x≤0.5,SNCTMTx)系微波介质陶瓷,分析了SNCTMTx(0.2≤x≤0.5)陶瓷的相组成、显微结构、烧结特性和微波介电性能之间的关系.XRD晶体结构分析表明:当x=0.2时,SNCTMTx陶瓷为单一正交钙钛矿结构,当x值增为0.3~0.5时,陶瓷体呈现正交钙钛矿相、SrO与未知相多相共存状态.随着(Mg1/3Ta2/3)4+含量的增加,体系中第二相的出现及含量的改变导致εr先增后减,而Q×f值出现先降后升的原因是B位离子1:2有序度的出现与范围的增加抑制了第二相进一步恶化品质因子;此外,τf逐渐向近零方向偏移与氧八面体的畸变程度密切相关.当x=0.5时,在1530℃烧结4 h得到的SNCTMTx陶瓷微波介电性能较优:εr=55.3,Q×f≈7400 GHz,τf≈23.6×10–6/℃.
关键词:
钙钛矿
,
(Mg1/3Ta2/3)4+
,
微波介电性能
,
(Sr0.2Nd0.208Ca0.488)TiO3
