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气相反应法制备GaN纳米线

许涛 , 魏志锋 , 李建业 , 贺蒙 , 许燕萍 , 曹永革 , 张王月 , 陈小龙

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.03.005

用简单化学反应的方法,采用非空间限制的条件,成功地在LaAlO3衬底上制备了GaN纳米线.分别用X射线粉末衍射、场发射扫描电镜和高分辩电镜等对其成分、形貌及其结构进行了表征.制备的GaN纳米线直径大部分为10～50nm,且多呈平直光滑状态;纳米线的成分为六方晶系氮化镓晶体.

关键词: GaN纳米线 , 半导体材料 , 气相反应法

CeO2 包覆对 TiO2 传感器材料的氧敏性能的影响

张梅 , 魏志锋 , 杜雪岩 , 张海军 , 李文超

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2001.01.018

针对 CeO2 具有良好的催化性和稳定性，以及 TiO2 具有优良的氧敏特性，采用溶胶-凝胶法制备 CeO2 包覆 TiO2 材料，并在自行设计的实验装置中对材料进行氧敏测试。该材料的温度系数低于纯 TiO2 材料，且氧敏性能比纯 TiO2 材料显著提高。其原因在于壳层中 CeO2 颗粒为氧离子进出包覆体内的 TiO2 提供通道，并利用 CeO2 储、放氧能力，促进 TiO2 电导率变化。

关键词: 氧敏性能 , CeO2/TiO2 , 包覆

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