蔡宏中
,
魏巧灵
,
魏燕
,
陈力
,
郑旭
,
胡昌义
稀有金属材料与工程
介绍了化学气相沉积(CVD)制备难熔金属钽涂层的原理及方法.采用冷壁式化学气相沉积法,在钼基体上沉积出难熔金属钽层.分析研究了CVD温度对沉积层的沉积速率、组织、结构和硬度等的影响.结果表明:在1000～1200℃温度范围,沉积速率随温度升高而增大 ;当温度超过1200℃时,沉积速率随温度的升高反而略有减小 ;沉积层组织呈柱状晶并随温度的升高逐渐增大 ;沉积层的硬度及密度随温度的升高而逐渐降低.化学气相沉积钽的最佳温度在1100℃左右.
关键词:
化学气相沉积
,
钽
,
组织
,
性能
蔡宏中
,
魏巧灵
,
陈力
,
王云
,
胡昌义
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.04.010
利用TaCl2-H2-HCl反应体系,采用冷壁式化学气相沉积法(CVD)在钼基体表面沉积钽涂层.通过X射线衍射仪、金像显微镜及扫描电镜等手段,对不同沉积温度下钽涂层的组成、组织及形貌进行了研究.结果表明:在1000～1300℃范围内,钽沉积层的相组成无变化,而对择优生长有一定影响；钽沉积层晶粒尺寸随沉积温度的升高而增大；钽沉积层表面颗粒呈金字塔形多面体且随沉积温度的升高而增大.
关键词:
化学气相沉积
,
钽涂层
,
相组成
,
显微组织
,
形貌
蔡宏中
,
易健宏
,
魏巧灵
,
陈力
,
魏燕
,
胡昌义
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2013.06.010
介绍了化学气相沉积(CVD)技术制备难熔金属钽涂层的原理及方法.利用TaCl5-H2-HCl反应体系,以冷壁式化学气相沉积法在钼基体表面沉积了钽涂层.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线物相分析仪(XRD)、显微硬度计等分析手段,研究了反应气体(氢气、氯气)的流量变化对钽涂层的沉积速率、结构、表面形貌、硬度及密度等的影响;应用Harris公式,计算了钽涂层的织构系数,获得了钽涂层的择优取向.研究结果表明:随着氢气流量的增加,涂层沉积速率加快,随着氯气流量的增加,涂层的沉积速率则是先增加后减小;涂层由体心立方结构的钽(α-Ta)构成,表面形貌呈类金字塔形结构,涂层(200)晶面方向为最快生长方向;反应气体流量变化对涂层硬度及密度的影响均不明显;涂层维氏硬度在HV 130.94 ～HV 152.43之间,涂层致密性好,相对密度都在99.65％以上.
关键词:
反应气体
,
化学气相沉积
,
钽涂层
,
性能
魏巧灵
,
蔡宏中
,
陈力
,
魏燕
,
毛传军
,
胡昌义
稀有金属材料与工程
简述氢气还原氯化钽化学气相沉积钽(CVD)的主要原理,研究氯化、氯气流量、氢气流量和沉积温度4个参数对沉积速率及沉积层显微组织的影响.结果表明:氯化温度对沉积速率的影响最小,沉积温度的影响最大;显微组织由小晶粒区和柱状晶区组成,沉积参数改变,柱状晶晶粒大小发生变化.
关键词:
CVD
,
沉积速率
,
显微组织
