牛新书
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魏少红
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许亚杰
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蒋凯
无机材料学报
采用化学沉淀法制备了xwt％SiO2-WO3(x=0,3,5,10,15)粉体材料,利用X射线衍射仪、透射电镜等测试手段分析了材料的微观结构,探讨了掺杂量、元件工作温度与WO3气敏性能的关系。研究发现:SiO2的掺杂提高了WO3粉体材料对H2S气体的灵敏度,其中掺杂量为5％的烧结型气敏元件在180℃下对H2S气体有较高的灵敏度和选择性;本文还对WO3的H2S气敏机理进行了探讨。
关键词:
二氧化钨
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gas-sensing material
,
chemical precipitation
,
H2S
褚颖
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王富强
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王忠
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魏少红
,
蒋利军
金属功能材料
采用溶剂热法合成纳米结构碲化铋化合物,初始原料为氯化铋、亚碲酸钠、氢氧化钠、表面活性剂EDTA二钠,以及还原剂硼氢化钠.将初始原料的混合水溶液经过不同的预处理,在453 K热处理后得到黑色粉末产物,用水和乙醇多次洗涤、真空干燥后,得到形貌各异的纳米碲化铋化合物粉体.粉体的形貌与合成过程和表面活性剂有关,论文对三者的相互关系和影响机理进行了分析和探讨.所得纳米碲化铋粉体经SPS烧结制备成块体,其综合热电性能优于商用碲化铋块体材料,300 K时的ZT值为0.958.
关键词:
溶剂热合成
,
纳米结构
,
碲化铋
,
热电性能
褚颖
,
王忠
,
魏少红
,
刘娟
,
蒋利军
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.05.030
采用溶剂热法制备纳米结构的Bi2Te3化合物,以氯化铋,亚碲酸钠,氢氧化钠,表面活性剂EDTA二钠,以及还原剂硼氢化钠为初始原料,将初始原料的混合水溶液加入到聚四氟乙烯为内衬的不锈钢反应釜容器内,经过超声波振动30 min后,在423～473 K热处理24～72 h后得到黑色粉末产物,用去离子水和无水乙醇反复洗涤除去产物中的可溶性离子和有机物,并在333 K下真空干燥,最后得到花簇状的Bi2Te3化合物粉体,并对产生花簇状的原因进行了分析和阐述.
关键词:
溶剂热
,
花簇状
,
Bi2T3化合物
魏少红
,
王忠
,
陈晖
,
褚颖
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.04.016
采用急冷甩带法和放电等离子体烧结(SPS)制备得到了块体Bi2Te2.7Se0.3热电材料,在室温下测量其热电性能,Seebeck系数最高达到-139.33μV·K-1,功率因子也有所提高,最大值1.71×103w·m-1·K-2,计算得到最大热电优值0.421.材料经急冷甩带后,微观组织结构发生变化,内部缺陷增多,晶粒细化,改变了载流子的散射机制,增强了声子散射.虽然电导率有一定程度减小,但Seebeck系数增大,热导率减小,提高了热电性能.
关键词:
急冷甩带法
,
Bi2Te2.7Se0.3
,
放电等离子体烧结
,
热电材料
魏少红
,
行春丽
,
牛新书
,
蒋凯
功能材料
采用溶胶-凝胶法制备了一系列掺杂有SiO2的WO3纳米粉体,通过TEM、XRD等分析手段对产物粉体的粒度、晶相结构进行了表征,测试了材料的气敏性能,探讨了煅烧温度、掺杂量、工作温度对材料气敏性能的影响.结果表明:适量SiO2的掺杂有利于提高WO3对NO2气体的灵敏度,其中掺杂量为3%(质量分数)的气敏元件在较低的工作温度下气敏性能突出.
关键词:
WO3
,
气敏传感器
,
溶胶-凝胶法
,
气敏性能
,
NO2
魏少红
,
纪全
,
张锐强
,
蒋驰
材料保护
目前,国内鲜有钨块包覆钽材的报道.于氩气气氛保护下在钨材表面等离子喷涂钽层,然后对其进行热等静压处理.采用扫描电镜观察涂层热等静压前后微观形貌,采用能谱仪测试其成分,采用X射线衍射仪测试其相结构,采用力学试验测试其力学性能.结果表明:等离子喷涂钽层与钨材界面处含有一定氧,且其分布不均匀,钽涂层由Ta和Ta6O组成;等离子喷涂钽层呈层状结构,经热等静压处理后,涂层内孔隙减小,致密度从91.2％提高到98.8％,涂层抗拉结合强度由19.4 MPa提高到22.5 MPa,硬度由517.8 HV提高到626.6 HV.
关键词:
等离子喷涂
,
热等静压
,
钽涂层
,
钨基体
,
致密度
,
力学性能
牛新书
,
魏少红
,
许亚杰
,
蒋凯
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.04.012
采用化学沉淀法制备了xwt%SiO2-WO3(x＝0,3,5,10,15)粉体材料,利用X射线衍射仪、透射电镜等测试手段分析了材料的微观结构,探讨了掺杂量、元件工作温度与WO3气敏性能的关系.研究发现:SiO2的掺杂提高了WO2粉体材料对H2S气体的灵敏度,其中掺杂量为5%的烧结型气敏元件在180℃下对H2S气体有较高的灵敏度和选择性;本文还对WO3的H2S气敏机理进行了探讨.
关键词:
三氧化钨
,
气敏材料
,
化学沉淀法
,
硫化氢
