材料期刊网

1. 首页
2. 检索结果页

原词结果 | 译词结果

X波段单片低噪声放大器芯片

彭龙新 , 周正林 , 蒋幼泉 , 林金庭 , 魏同立

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.009

报道了X波段0.5 μm GaAs PHEMT 全单片低噪声放大器芯片.该放大器芯片由四级级联放大电路构成.芯片面积为2.43×1.85 mm2.该放大器芯片在通带内测试结果为: 在工作条件VD=5 V(ID≤100 mA)下,增益>26 dB,噪声系数≤2.2 dB,输入、输出电压驻波比<1.6∶1,平坦度≤±1 dB,1 dB压缩功率≥15 dB·m,相位一致性≤±3°,幅度一致性≤±0.5 dB.芯片尺寸为2.43 mm×1.85 mm.

关键词: 微波单片集成电路 , 赝配高电子迁移率晶体管 , 低噪声放大器

一种自动体偏置多阈值电压高温 SOI CMOS电路

张海鹏 , 魏同立 , 杨国勇 , 冯耀兰 , 宋安飞

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.02.014

提出了一种高温 SOI CMOS电路设计方法—自动体偏置多阈值电压 SOI CMOS(简称 ABB－ MT－ SOI CMOS： Auto－ Bulk－ Biased Multi－ Threshold SOI CMOS)电路。文中主要讨论了 ABB－ MT－ SOI CMOS电路的结构与工作原理 ,设计与布局等，给出了内部电路电压和电流的模拟结果， 并简述了该电路的应用前景。

关键词: 自动体偏置 , 多阈值电压 , 高温 , SOICMOS电路

C波段单片低功耗低噪声放大器

彭龙新 , 李建平 , 林金庭 , 魏同立

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.06.027

报道了一种新型的C波段0.5μm PHEMT单片低功耗低噪声放大器.该放大器由三级级联构成,采用电流回收技术,实现了低功耗的目的.芯片面积为2.1×1.8 mm2,直流功耗为125 mW(VD=5 V,ID≤25 mA).封装后测试结果为:在C波段,带宽1.1 GHz,增益＞25.7dB,增益平坦度≤±0.6dB,噪声系数≤1.72dB,输入、输出电压驻波＜2:1;带内最小噪声系数为1.61dB,相关增益为26.3dB.测量结果与设计符合得较好.

关键词: 微波单片集成电路 , 低功耗 , 赝配高电子迁移率晶体管 , 低噪声放大器

SiGe ECL电路时间延迟分析

李垚 , 金西 , 孔德义 , 魏同立

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.04.010

为保证ECL具有更好的电路性能,低温下制备SiGe HBT作为基本器件的SiGe ECL电路更适于低温应用,且传输延迟时间更小.

关键词:

MLS结构的电容-电压特性

张佐兰 , 郑茳 , 黄勤 , 陆祖宏 , 魏同立

材料研究学报

本文报导在Si 衬底上拉制聚酰胺LB 膜的电容-电压特性,结果表明:它具有与其它绝缘膜相似的特性,为聚酰胺LB 膜应用于场效应器件奠定了基础。

关键词: LB膜 , C-V characteristics , insulator films

栅控单片宽带可变增益放大器

彭龙新 , 林金庭 , 魏同立

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.05.032

报道了一种栅压控制的宽带GaAs单片可变增益放大器芯片.该芯片采用Ф76 m圆片0.5 μm PHEMT标准工艺制作而成.工作频率范围为2～8 GHz,栅压为零(或悬空)时,整个带内增益约14dB,输入输出驻波小于2.0,输出功率P1dB大于13dBm.通过改变栅压(可选),平坦增益可控范围13dB.该芯片体积为2.0 mm×1.8 mm×0.1 mm.

关键词: 单片集成电路 , 可变增益 , 赝配高电子迁移率晶体管

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词