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检索条件:作者=魏兆冬  

  • 论文(3)

可切削氧化锆复合陶瓷的显微结构和断裂特征

李文旭 , 于德珍 , 魏兆冬 , 王福平 , 费维栋

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2008.01.022

为解决氧化锆陶瓷的难加工问题,掺入软相磷酸钙,制备出牙科CAD/CAM系统用氧化锆复合陶瓷材料,通过TEM和EADX方法研究烧结温度和磷酸钙含量对复合陶瓷显微结构和断裂方式的影响.结果表明,磷酸钙含量的增加导致瓷体致密度降低,升高烧结温度则有利于提高氧化锆复合陶瓷的致密度.高温下原料羟基磷酸钙分解生...

关键词: 氧化锆 , 磷酸钙 , 弱结合面 , 断裂方式

Gd掺杂对PZT薄膜介电性能及极化行为的影响

孙秋 , 魏兆冬 , 王福平 , 姜兆华

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00872

采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出高度(100)择优取向的Gd掺杂PZT薄膜(简写为PGZT); 介电测试结果表明, 1mol%Gd掺杂的PZT薄膜介电常数最大, 2mol%Gd掺杂PZT薄膜与未掺杂薄膜的介电常数相差不大, Gd掺入量>2mol...

关键词: PZT薄膜 , rare-earth doping , dielectric properties , polarization

Gd掺杂对PZT薄膜介电性能及极化行为的影响

孙秋 , 魏兆冬 , 王福平 , 姜兆华

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.002

采用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出高度(100)择优取向的Gd掺杂PZT薄膜(简写为PGZT);介电测试结果表明,1mol%Gd掺杂的PZT薄膜介电常数最大,2mol%Gd掺杂PZT薄膜与未掺杂薄膜的介电常数相差不大,Gd掺入量>2mol%时,薄膜的介电常数下降;薄膜...

关键词: PZT薄膜 , 稀土掺杂 , 介电性能 , 极化行为