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金属钨纳米线阵列的制备

高程贺跃辉王世良

材料研究学报

用气相方法在较低的温度(900℃)下在单晶硅基片表面制备出金属钨的单晶纳米线阵列, 用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X--ray衍射(XRD)等手段对其进行了分析和表征.结果表明: 在900℃制备的阵列单晶钨纳米线沿<111>方向生长,具有bcc结构, 直径约为150 nm, 长度为10--30 μm.

关键词: 金属材料 , metallic tungsten , single-crystal , nanowire , array