高程
,
贺跃辉
,
王世良
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.06.003
用气相方法在较低的温度(900℃)下在单晶硅基片表面制备出金属钨的单晶纳米线阵列,用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和X-ray衍射(XRD)等手段对其进行了分析和表征.结果表明:在900℃制备的阵列单晶钨纳米线沿<111>方向生长,具有bcc结构,直径约为150 nm,长度为10-30 μm.
关键词:
金属材料
,
金属钨
,
单晶
,
纳米线
,
阵列
