张龙龙
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周炳卿
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张林睿
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高玉伟
硅酸盐通报
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对薄膜材料进行了表征,并研究了薄膜材料的微结构和晶化状况、光学特性等.实验结果表明,所沉积薄膜都为富硅的非晶氮化硅材料,改变射频功率、硅烷稀释度和衬底温度可以控制氮化硅薄膜中N元素的含量、光学带隙的大小和薄膜的折射率,并制备出最适宜富硅氮化硅薄膜,为进一步退火析出硅量子点奠定了基础.
关键词:
PECVD
,
富硅氮化硅薄膜
,
非晶结构
,
光学带隙
李方
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高玉伟
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张志毅
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刘亚青
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赵东林
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白利忠
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.03.027
使用水热法以钼酸铵为钼源,硫脲为硫源制备了由纳米片组成的三维花状的二硫化钼微球.利用XRD、Raman、SEM和TEM对产物的微观结构和形貌进行了表征.同时通过循环伏安法、恒电流充放电和交流阻抗谱研究了其作为超级电容器电极材料的电化学性能.测试表明MoS2花状微球电极材料在电流密度为0.5 A/g时,比电容可达225 F/g,具有良好的倍率性能,是一种性能优异的超级电容器电极材料.
关键词:
二硫化钼花状微球
,
水热法
,
超级电容器
,
电化学性能
