张维连
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赵红生
,
孙军生
,
张恩怀
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陈洪建
,
高树良
,
刘涛
,
胡元庆
,
李颖辉
,
郭丽华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.06.017
经过化学-机械抛光后,用常规的检验旋涡缺陷的方法没有观察到旋涡缺陷的FZSi片,用高温热氧化法有时则可以观察到明显的旋涡状分布的条纹图形.使用FTIR、XPS、 SEM能谱分析等手段的测量结果表明,这种旋涡状分布的图形与晶体中的掺杂剂(磷、硼)和杂质氧、碳以及重金属杂质没有明显的依赖关系,它是硅中点缺陷在晶体径向截面上呈不均匀条纹状分布的结果.本文对大直径FZSi中的旋涡缺陷的形成机理和消除方法进行了初步的探讨.
关键词:
FZSi
,
旋涡缺陷
,
热对流
,
点缺陷
张维连
,
孙军生
,
张恩怀
,
李嘉席
,
吴小双
,
高树良
,
胡元庆
,
刘俊奇
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.04.014
用永磁体环形磁场直拉(PMCZ)炉代替普通的MCZ炉生长了质量较高的单晶硅在PMCZ炉中水平辐射状磁力线均匀分布,可有效地抑制熔体中不规则的对流和固液界面处的温度波动,降低以至消除微观生长速率的起伏.在用PMCZ法生长的硅晶体中氧浓度较低,杂质的径向分布均匀性好简单地讨论了PMCZ法控氧优于普通MCZ法的机理.
关键词:
永磁场直拉(PMCZ)炉 热对流 氧杂质
