高晓强
,
王凯
,
邓闯
,
贺端威
功能材料与器件学报
采用分子束外延(MBE)法,在优化Ge衬底退火工艺的基础上,通过对比在(001)面偏＜111＞方向分别为0°、2°、4°和6°的Ge衬底上生长的GaAs薄膜,发现当Ge衬底的偏角为6°时有利于高质量GaAs薄膜的生长;通过改变迁移增强外延(MEE)的生长温度,发现在GaAs成核温度为375℃时,可在6°偏角的Ge衬底上获得质量最好的GaAs薄膜.通过摸索GaAs/Ge衬底上InAs量子点的生长工艺,实现了高效的InAs量子点光致发光,其性能接近GaAs衬底上直接生长的InAs量子点的水平.
关键词:
分子束外延
,
迁移增强外延
,
InAs量子点
