黄新友
,
高春华
,
陈祥冲
,
周浩伟
,
谭红根
功能材料
采用传统电容器陶瓷制备工艺,研究了CeO2加入量对Ba(Zr,Ti)O3(BTZ)基电容器陶瓷性能的影响,得到了CeO2影响其性能的规律,即随着CeO2加入量的增加材料的介电常数开始增大随后减小,当w(CeO2)=1.0%时介电常数最大,而介质损耗开始增大然后减小随后增大;当w(CeO2)=0.5%时介质损耗最小.CeO2有降低居里温度及展宽介电常数-温度峰的作用,并且能使材料介电常数温度系数减小.得到了综合性能好的电容器陶瓷.探讨了CeO2加入量对BTZ基电容器陶瓷性能的影响机制,即CeO2是通过与BTZ形成缺陷固溶体、移峰、偏析晶界及抑制晶粒生长等来影响瓷料性能和结构的.
关键词:
CeO2
,
陶瓷电容器
,
陶瓷
,
锆钛酸钡
,
性能
黄新友
,
陈志刚
,
李军
,
高春华
稀有金属材料与工程
研究了Nb2O5/Co2O3摩尔比(简称Nb/Co比,下同)对(Ba,Sr)TiO3(Barium Strontium Titanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Nb/Co比与BST陶瓷性能的关系.借助扫描电镜(SEM)研究Nb/Co比对BST陶瓷微观结构的影响,采用X射线衍射(XRD)分析了BST陶瓷物相组成,探讨了Nb/Co比对BST陶瓷性能影响的机理.结果表明:当Nb/Co比为1.1,可得到满足X7R特性、介电常数为2449、耐压为5 MV/m以上综合性能好的BST陶瓷.Nb/Co比增大对BST陶瓷性能的影响是通过阻止晶粒生长、致密化、(适当增加Nb/Co比能细晶化、过量增加Nb/Co比导致少量晶粒异常长大、)宽化介电常数温度曲线、改善介电常数温度特性、减少介电常数、形成杂相、形成"晶核-晶壳"结构等进行.通过研究获得高介高压高稳定电容器陶瓷.
关键词:
氧化铌
,
氧化钴
,
电容器陶瓷
,
钛酸钡锶
,
陶瓷
高春华
,
黄新友
,
陈志刚
,
陈祥冲
,
黄国军
稀有金属材料与工程
研究了Bi4Ti3O12掺杂量(≥8%,质量分数)对(Ba,Sr)TiO3(Barium Strontium Titanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Bi4Ti3O12掺杂量与BST陶瓷性能的关系,得到中温烧结(≤1150℃)、高压(≥6.99MV/m)、低损耗(0.008)、符合X7R特性的多层陶瓷电容器瓷料.借助扫描电镜(SEM)研究了Bi4Ti3O12对BST陶瓷微观结构的影响,探讨了Bi4Ti3O12掺杂量对BST陶瓷性能和结构影响机理.结果表明:Bi4Ti3O12是通过与BST形成核-壳结构、形成玻璃相、偏析晶界及抑制晶粒生长、改善介温特性等来影响瓷料性能和结构的.这些结果为Bi4Ti3O12掺杂改性BST电容器陶瓷提供一定的依据.
关键词:
中温烧结
,
电容器陶瓷
,
钛酸钡锶
,
陶瓷
,
钛酸铋
黄新友
,
陈志刚
,
李军
,
高春华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.042
研究了Nb2O5/Co2O3加入量[质量分数,Nb/Co(摩尔比)=0.8]不同对(Ba,Sr)TiO3(Barium strontium titanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Nb2O5/Co2O3加入量与BST陶瓷性能的关系.借助扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)研究不同Nb2O5/Co2O3加入量对BST陶瓷显微结构和物相的影响,探讨了Nb2O5/Co2O3加入量对BST陶瓷性能影响机理.结果表明:当Nb2O5/Co2O3加入量为1.0%时,可得到满足Y5V特性、介电常数为3934、介质损耗为2.6%综合性能好的BST陶瓷.Nb2O5/Co2O3加入量对BST陶瓷性能的影响是通过细晶化、压抑展宽居里峰、改善介电常数温度特性、减少介电常数、形成杂相、形成"晶核-晶壳"结构等进行.
关键词:
氧化铌
,
氧化钴
,
电容器陶瓷
,
钛酸钡锶
,
陶瓷
黄新友
,
陈志刚
,
李军
,
高春华
稀有金属材料与工程
研究了Nb2O5/Co2O3摩尔比(简称Nb/Co比,下同)对(Ba,Sr)TiO3(Barium Strontium Titanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Nb/Co比与BST陶瓷性能的关系.借助扫描电镜(SEM)研究Nb/Co比对BST陶瓷微观结构的影响,采用X射线衍射(XRD)分析了BST陶瓷物相组成,探讨了Nb/Co比对BST陶瓷性能影响的机理.结果表明:当Nb/Co比为1.1,可得到满足X7R特性、介电常数为2449、耐压为5 MV/m以上综合性能好的BST陶瓷.Nb/Co比增大对BST陶瓷性能的影响是通过阻止晶粒生长、致密化、(适当增加Nb/Co比能细晶化、过量增加Nb/Co比导致少量晶粒异常长大、)宽化介电常数温度曲线、改善介电常数温度特性、减少介电常数、形成杂相、形成"晶核-晶壳"结构等进行.通过研究获得高介高压高稳定电容器陶瓷.
关键词:
氧化铌
,
氧化钴
,
电容器陶瓷
,
钛酸钡锶
,
陶瓷
黄新友
,
邓悦欢
,
李晓毅
,
高春华
,
陈志刚
人工晶体学报
以SnCl4·5H2O、ZnNO3·6H2O、HCl、NaOH、FeCl3·6H2O为原料,采用共沉淀法制备Fe掺杂纳米ZnO、纳米ZnO/SnO2和Fe掺杂纳米ZnO/SnO2三种复合催化剂粉体,以降解甲基橙溶液反应为模型,研究了不同比例的ZnO/SnO2复合、Fe元素掺杂量以及SnO2复合Fe元素掺杂同时作用对纳米ZnO粉体光催化活性的影响,采用X射线衍射(XRD)测试方法对不同量Fe元素掺杂纳米ZnO粉体进行了表征.采用透射电镜对三种改性方法ZnO粉体进行表征.结果表明:随着ZnO/SnO2的物质的量比增加,ZnO/SnO2复合光催化剂的催化活性先增加,然后降低；随着Fe掺杂量的增加,纳米ZnO粉体的光催化活性先增加,然后降低.三种改性方法都能提高纳米ZnO粉体的光催化活性,其中Fe元素掺杂以及SnO2复合改性纳米ZnO粉体的光催化效果最好,物相为ZnO和SnO2,颗粒尺寸为15 ～20 nm,分散性好,比表面积为68.7m2/g.
关键词:
纳米ZnO/SnO2
,
光催化
,
共沉淀
,
甲基橙
,
掺杂
高春华
,
黄新友
,
陈志刚
,
陈祥冲
,
黄国军
稀有金属材料与工程
研究了Bi4Ti3O12掺杂量(≥8%,质量分数)对(Ba,Sr)TiO3(Barium Strontium Titanate,BST)铁电电容器陶瓷介电性能的影响,得到不同Bi4Ti3O12掺杂量与BST陶瓷性能的关系,得到中温烧结(≤1150℃)、高压(≥6.99MV/m)、低损耗(0.008)、符合X7R特性的多层陶瓷电容器瓷料.借助扫描电镜(SEM)研究了Bi4Ti3O12对BST陶瓷微观结构的影响,探讨了Bi4Ti3O12掺杂量对BST陶瓷性能和结构影响机理.结果表明:Bi4Ti3O12是通过与BST形成核-壳结构、形成玻璃相、偏析晶界及抑制晶粒生长、改善介温特性等来影响瓷料性能和结构的.这些结果为Bi4Ti3O12掺杂改性BST电容器陶瓷提供一定的依据.
关键词:
中温烧结
,
电容器陶瓷
,
钛酸钡锶
,
陶瓷
,
钛酸铋
黄新友
,
魏敏先
,
陈志刚
,
高春华
,
崔永臻
人工晶体学报
采用固相法,利用XRD、SEM等测试分析方法,系统研究了CeO2掺杂对0.85(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.144(K0.5Bi0.5)TiO3-0.006BaTiO3(NBT-KBT-BT)无铅压电陶瓷结构和性能的影响.研究结果表明:所有组成的陶瓷的物相均为单一钙钛矿型结构相,CeO2的掺杂只改变晶胞体积或产生铋离子空位或钠离子空位,不形成异相.CeO2掺杂使晶粒尺寸趋于平均,形状由四方状向粒状转变,对晶粒生长有抑制作用.随着CeO2掺杂量增加,压电陶瓷的压电应变常数d33先增大然后降低、介电常数ε先增大然后降低,介质损耗tanδ一直降低.当CeO2的掺杂量为0.1 %质量分数时,NBT-KBT-BT 无铅压电陶瓷的综合性能最佳,其性能为:d33=156 pC/N、tan δ=3.8%、ε=1364.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
掺杂
,
性能
,
CeO2
黄新友
,
高春华
,
陈志刚
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2010.z2.005
采用固相法,利用X-射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)等测试分析方法系统研究了Bi4Ti3O12掺杂量(质量分数,下同)(18％～50％)对(Ba0.71Sr0.29)TiO3 (BST)基电容器陶瓷介电性能和结构及烧结温度的影响.研究结果表明:随着Bi4Ti3O12掺杂量的增加,BST陶瓷的晶粒尺寸先减小然后增大.在BhTi3O12掺杂量的范围内,BST陶瓷的物相均为Bi4Ti3O12和BST的混合相,随着Bi4Ti3O12掺杂量的增加,Bi4Ti3O12相逐渐增多.随着Bi4Ti3O12掺杂量的增加,BST陶瓷的介电常数(ε)逐渐减小；介质损耗(tarδ)均较小(0.0050～0.0075),呈先减小后增大的趋势；烧结温度逐渐降低,当Bi4Ti3O12掺杂量为50％时,烧结温度为1090℃.随着Bi4Ti3O12掺杂量的增加,BST陶瓷的容温变化率(AC/C)绝对值在正温范围内(25～125℃)逐渐减小,容温变化率(△C/C)在负温范围内(-55～25℃)先减小然后上升再下降.当Bi4Ti3O12掺杂量为26％时,BST陶瓷综合性能较好,其介电常数为1700,介质损耗为0.006,容温变化率的绝对值小于15％(-55～125℃),符合X7R特性,耐直流电压为5.0kV/mm,烧结温度为1120℃.
关键词:
电容器陶瓷
,
钛酸锶钡
,
Bi4Ti3O12掺杂
,
介电性能
