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在预涂陶瓷过渡层的多谱段ZnS衬底上沉积金刚石膜的探索研究

吕反修 , 高旭辉 , 郭会斌 , 陈广超 , 李成明 , 唐伟忠 , 佟玉梅 , 余怀之 , 程宏范 , 杨海

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.023

本文采用真空电子束蒸镀技术在多谱段ZnS衬底上沉积了适合金刚石膜沉积的致密陶瓷过渡层,并利用微波等离子体CVD金刚石膜低温沉积技术进行了金刚石膜沉积研究.发现在陶瓷过渡层上的金刚石形核极其困难,其原因可能是陶瓷涂层在沉积过程中龟裂导致ZnS蒸汽扩散逸出干扰金刚石形核所致.本文采用诱导形核技术在过渡层/ZnS试样表面观察到极高密度(1010/cm2)的金刚石形核,并对金刚石/过渡层/ZnS试样的红外透过特性进行了评价.

关键词: 硫化锌 , 金刚石膜涂层 , 陶瓷过渡层 , 诱导形核 , 微波等离子体CVD

MPCVD掺硼金刚石薄膜的制备及Ti/BDD 电极上对硝基酚的阳极氧化测试

魏俊俊 , 贺琦 , 高旭辉 , 吕反修 , 陈广超 , 朱秀萍 , 倪晋仁

人工晶体学报

采用微波等离子体技术在CH4-H2-C2H6气体条件下制备了钛基掺硼金刚石薄膜.四点探针法测得薄膜电阻率在零掺杂时为1×1012Ω*cm ,当反应气源中B/C上升为5×10-3时电阻率降至5×10-3 Ω*cm.扫描电镜显示掺硼金刚石具有完整晶型和致密结构.拉曼光谱观察到金刚石结构在掺杂前后发生明显改变.采用循环伏安测试了Ti/BDD电极的电化学参量,并与PbO2, Sn-Sb and PbO2-Er三种电极进行阳极氧化对-硝基酚的对比实验.结果表明,在Ti/BDD电极上,对-硝基酚的总有机碳去除率接近100%,远高于其它三种电极.

关键词: Ti/BDD电极 , 微波等离子体 , 化学气相沉积 , 对-硝基酚 , 阳极氧化

金刚石膜表面氨等离子体处理研究

魏俊俊 , 黑立富 , 高旭辉 , 李成明

人工晶体学报

本文尝试采用微波等离子体CVD技术,实现金刚石膜的制备以及金刚石膜表面的氨等离子体处理,实现氨基功能化修饰金刚石膜的制备.通过扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)以及水接触角等对氨等离子体处理前后的金刚石膜进行检测分析.结果表明,采用微波等离子体CVD技术,可以在金刚石膜表面植入氨基实现功能化修饰,从而提高金刚石膜表面活性.同时,金刚石膜的整体品质未出现显著变化.

关键词: 金刚石薄膜 , 微波等离子体 , 氨基 , 水接触角

硼掺杂对钛基金刚石薄膜附着力的影响

魏俊俊 , 贺琦 , 高旭辉 , 吕反修

材料热处理学报

采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在钛基片上沉积了掺硼金刚石薄膜,并对掺杂前后的薄膜形貌及结构进行了检测.结果表明掺杂元素对形貌和结构有很大的影响,同时掺杂后薄膜与基底附着力有所下降.掠角衍射(GIXD)检测表明,中间层的主要成分是TiC和TiH_2.随着硼的加入,两者的含量增加.薄膜与基底的附着力下降的原因主要是受中间过渡层成分和残余应力增加的共同影响.

关键词: 金刚石薄膜 , 掠角衍射(GIXD) , 掺硼 , 附着力 , CVD

红外光学材料硫化锌衬底上沉积金刚石膜的研究

高旭辉 , 吕反修 , 魏俊俊 , 李成明 , 陈广超 , 余怀之

功能材料

采用微波等离子体化学气相沉积法,在预镀陶瓷过渡层的硫化锌衬底上沉积金刚石膜2在以前的实验中,我们发现在陶瓷过渡层上沉积金刚石膜极其困难,但采用金刚石诱导形核方法后,我们已经在过渡层/硫化锌试样表面获得了很小面积(约1mm宽的环状区域)的金刚石形核.本文对前期的诱导形核工作进行了一定改进,目前已经使形核生长范围大大增加,沉积面积超过原来10倍.此外,本文对金刚石/过渡层/硫化锌试样的红外透过特性以及金刚石膜质量等进行了评价.

关键词: 硫化锌(ZnS) , 金刚石膜 , 陶瓷过渡层 , 诱导形核 , 微波等离子体CVD

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